- 如下图（2）所示，dV/dt失效是由于MOSFET关断时流经寄生电容Cds的瞬态充电电流流过基极电阻RB，导致寄生双极晶体管的基极和发射极之间产生电位差VBE，使寄生双极晶体管导通，引起短路并造成失效的现象。通常，dV/dt越大（越陡），VBE的电位差就越大，寄生双极晶体管越容易导通，从而越容易发生失效问题。本文的关键要点・dV/dt失效是MOSFET关断时流经寄生电容Cds的充电电流流过基极电阻RB，使寄生双极晶体管导通而引起短路从而造成失效的现象。・dV/dt是单位时间内的电压变化量，VDS的上升坡度
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罗姆半导体 dv dt
- 专业LDI设备制造商Limata日前正式发布其独有的、经过市场验证的适用于所有X系列产品的LUVIR技术®。此独特的LDI技术在降低设备维护成本的同时，能显著提高防焊油墨的成像速度。创新的技术降低了成像需求UV光的能量，同时带来成像速度的提升在PCB制造制程中，防焊油墨的成像品质一直受到不断提升的对位精度和成像精度要求的挑战。相对于干膜成像，防焊油墨的成像需要更高的UV能量。因此市场上多波长DI的解决方案（多波长对应于UV光波段）对高产出的需求而言太慢，生产厂家的成本也更高（更多的成像单元或更多机台需求）
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UV IR DI
- 通过在全球层面采取危机管理等应对措施，欧司朗在第三财季有效降低了疫情影响。欧司朗第三财季营业收入为6.06亿欧元，在一年内可比基础上下降29.4%，但与行业主要销售市场相比，表现好于预期。扣除特殊项目前，税息折旧及摊销前利润（EBITDA）为负2,700万欧元，远高于预期。其中，汽车业务（AM）受疫情冲击最严重，而光电半导体业务（OS）则有着良好表现，与预期相符。由于资金流动性的有效管理，全公司的自由现金流控制在负700万欧元。- 受疫情冲击营业收入下降，仍优于行业整体表现-&nb
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OS AM DI
- 王定良（电子科技大学 电子科学与工程学院，四川 成都 610054） 摘 要：作为电机驱动电路的智能功率模块（IPM）正变得越来越重要，但是越来越快的开关速度，可能会引起IPM模块中的IGBT的误触发。另外，过高的dV/dt也会在IGBT关断状态下产生雪崩击穿。本文结合半桥电路的寄生参数模型，完善传统公式的推导。基于对公式与IGBT擎住现象的分析，并结合IGBT的安全工作区提出了一种根据dv/dt的大小来动态扩展IGBT安全工作区的电路结构，改善了传统半桥电路工作时的可靠性。 关键词：IGBT；
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202002 IGBT 误触发 dV/dt 可靠性
- 数字信号主要的频率分量都位于它的转折频率以下。转折频率FKNEE与脉冲上升时间TR相关，而与传播延迟、时钟速率或转换频率无关：信号传播的整个路径，包
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DT DV DL 电压突变
- 高 di/dt 负载需要仔细考虑旁路问题以保持电源动态稳压。表面贴装电容需要非常靠近负载以最小化其互连电感。电容具有可能避免大量去耦的寄生电感。降低这一寄生电感的并联电容是有效的，但互连和互感减弱了这一效果。使用具有更短电流通道的电容也是有效的。这可以用体积较小的部件或具有交流端接（其使用了更短的尺寸用于电流）的部件来实施。
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di/dt 德州仪器 电源设计小贴士 电源管理
- 作者/ 王莹 电子产品世界编辑创新 德国慕尼黑，11月7日，《电子产品世界》编辑第一次来到了慕名已久的electronica(慕尼黑电子展)。11月7日晚，创新设计家兼未来学家Vto Di Bari教授在electronia组委会举办的官方欢迎晚宴上做了“明天可连接世界中的一天生活”的主题演讲。 人们认识事物通常是1个H和5个W，即怎样(How)、何时(When)、为什么(Why)、什么(what)、哪里(where)和谁(who)。我们可以假设一个动物在自然界如何捕食其他动物，然后再推
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德国慕尼黑 Vto Di Bari NXP CEO Rick Clemmer 201612
- 6年前，云计算创业“无人喝彩”。6年后的今天，阿里云已成长为全球领先的云计算服务平台，开始分享对于DT世界、云计算生态、数据保护以及未来核心技术等方向的判断。
7月22日，首届阿里云分享日×云栖大会北京峰会召开，吸引了海内外2000余名开发者、创业者及生态伙伴参与。会上，阿里云集中发布了11款新产品、50多个行业解决方案;向企业级用户开放互联网架构解决方案;首次披露云计算生态路线图全貌;并面向行业率先发起数据保护倡议，明确数据归属客户所有，平台方不得移作它用。
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阿里云 DT
- 6月9日，据国外媒体报道，知情人士透露称，苹果公司正在建造高速网络，同时还在升级自己打造数据中心的方式，此举旨在提升该公司在云领域的竞争实力，从而进一步与亚马逊、谷歌和微软等对手在云服务领域展开更好的竞争。
目前为止，苹果主要依赖传统网络供应商和技术供应商来支持该公司的消费者服务，例如iTune音乐和电影服务、iCloud存储图片和其它内容服务、以及Siri语音助手服务。未来一段时间，苹果还将继续依赖现有的多数服务和产品供应商，因而目前该公司也在积极寻求措施来提升自己当前的基础设施。
据知
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苹果 DT
- 虽然听起来挺厉害的，但是为什么支付宝在公元2015年5月27日被挖掘机一铲子挖坏了呢，难道没有容错机制？阿里快长点心吧，千里之堤毁于蚁穴，大企业不能再遇到这种灾难性的事故了。
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阿里巴巴 DT
- 一、 前言 在可携式电量测量设备中，常见有数位式复用电表(Digital Multimeters)及夹式电流表(Clamp Meter)。这些设备可用来测量出电量中的电压及电流，电量讯号又可分成直流及交流，而交流部分再分为平均值及方均根(root mean square, RMS)转换量测。平均值转换的电量测量设备并非真正测量方均根值，而是以正弦波交流信号，做信号平均值测量，校正所得到的量值。对于非正弦波而言，可能会有相当程度的误差。因此很
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HY12P65 SDADC DT-RMS
- 日前曝光了诺基亚DT-910充电支架的拆机图，请大家跟随我的脚步去了解一下诺基亚这个旗舰产品的一级外配。...
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DT-910 无线充电 诺基亚
- 摘要：文中从专业的角度介绍了晶闸管在工作过程中烧坏的真实原因，解开了以往从表面现象而判断晶闸管烧坏的误区。
关键词：晶闸管；dv／dt；di／dt；开通时间；关断时间
晶闸管属于硅元件，硅元件的普遍特性
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晶闸管 dv／dt di／dt 开通时间 关断时间
- 摘要：dIT/dt是衡量可控硅可靠性的一个重要参数，过高的dIT/dt可能会导致可控硅损坏或失效，故设计一个能准确测量此参数的低成本线路显得尤为关键。本文设计了一个简洁的测量可控硅dIT/dt的测试电路，并介绍了它的测试原理与测试方法，且测量了市场上的BTA208-600B，得出了测试结果，与该产品说明书的值一致。可应用于研发可控硅的企事业单位和研究所测试可控硅。
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测试 可控硅 dIT/dt 201208
- 在工业、汽车和航空电子应用中，经常会遇到持续几 μs 至几百 ms 的高电压电源尖峰。这些系统中的电子线路不仅必须安然承受瞬态电压尖峰，而且在许多场合还需要在此过程中可靠地运作。在那些通过长导线供电的系统中，负载阶跃 (负载电流的突然变化) 将产生严重的瞬变。
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凌力尔特 电阻器 dI/dt
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