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亚微米CMOS电路中VDD-VSSESD保护结构设计(一)

  • 1 引言  ESD(Electric Static Discharge)保护结构的有效设计是CMOS集成电路可靠性设计的重要任务之一,其E ...
  • 关键字: 亚微米  CMOS电路  VDD-VSSESD  

亚微米CMOS电路中VDD-VSSESD保护结构设计二

  • 3 仿真分析及具体设计结果  3.1 仿真分析  在亚微米的ESD结构的设计中,一种常见的具体的ESD瞬态检测 ...
  • 关键字: CMOS  VDD  VSSESD  

亚微米CMOS电路中VDD-VSSESD保护结构设计一

  • 1 引言  ESD(Electric Static Discharge)保护结构的有效设计是CMOS集成电路可靠性设计的重要任务之一,其E ...
  • 关键字: CMOS  VDD  VSSESD  

亚微米CMOS电路中VDD-VSSESD保护结构设计(二)

  • 3 仿真分析及具体设计结果3.1 仿真分析在亚微米的ESD结构的设计中,一种常见的具体的ESD瞬态检测电压如图2 VDD-VSS间的电压钳位结构。其原理如下:主要利用结构中的RC延迟作用,一般T=RC被设计为100ns-1000ns之间,而
  • 关键字: VDD-VSSESD  CMOS  亚微米  电路    

亚微米CMOS电路中VDD-VSSESD保护结构设计

  • 1 引言ESD(Electric Static Discharge)保护结构的有效设计是CMOS集成电路可靠性设计的重要任务之一,其ESD结构与工艺技术、特征尺寸密切相关,随着IC工艺技术的进一步发展,特征尺寸越来越小,管子的栅氧层厚度越来越
  • 关键字: VDD-VSSESD  CMOS  亚微米  电路    
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