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意法半导体推出40V STripFET F8 MOSFET晶体管,具备更好的节能降噪特性

  • 意法半导体40V MOSFET晶体管STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 降低导通电阻和开关损耗,同时优化体寄生二极管特性,降低功率转换、电机控制和配电电路的能耗和噪声。新型 40V N 沟道增强型 MOSFET 利用最新一代 STPOWER STripFET F8 氧化物填充沟槽技术实现卓越的品质因数。在栅源电压 (VGS)为 10V 时,STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG的最大导通电阻 (Rds(on))分别为 0.8毫欧和和0.75毫欧。新MOSFET的裸片单位
  • 关键字: 意法半导体  STripFET F8  MOSFET晶体管  
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