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英飞凌推出完全集成的新一代OptiMOS™ POL DC-DC稳压器

  • 【2022 年 9 月 22日,德国慕尼黑讯】随着人工智能(AI)技术在大规模数据中心里的应用,整个市场对更高性能的半导体器件的需求也将持续增加。这一趋势使得为智能的企业级系统创建高功率密度、高能效的解决方案成为了一大挑战。为了解决这一挑战,英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日推出了全新的OptiMOS™ 5 IPOL系列降压稳压器。该产品系列具有符合VR14标准的SVID和I2C/PMBus数字接口,适用于英特尔和AMD的服务器CPU及网络ASIC/FPGA。这些
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OptiMOS™线性场效应晶体管兼具低RDS(on)值与大安全工作区

  •   英飞凌科技股份公司推出OptiMOS™线性场效应晶体管系列。这个全新产品系列兼具沟槽型功率场效应管的低导通电阻(RDS(on))与平面MOSFET的大安全工作区。这就解决了RDS(on)与线性模式功能之间的平衡问题。OptiMOS线性场效应晶体管可在增强模式MOSFET的饱和区工作。OptiMOS线性场效应晶体管最适合电信和电池管理系统(BMS)中常见的热插拔、电子熔断器和保护应用。  耐用的线性模式操作和更高的脉冲电流都有助于实现较低传导损耗、更快启动和更短的停机时间。通过限制较高的励磁涌流,Opt
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英飞凌率先采用300毫米薄晶圆工艺批量生产新一代汽车功率场效应管

  •   英飞凌科技股份公司在全球率先采用300毫米薄晶圆生产汽车功率场效应管。第一个产品系列OptiMOS™ 5 40V针对二氧化碳减排应用进行了优化。产品在英飞凌位于奥地利菲拉赫的晶圆厂生产。   英飞凌科技股份公司汽车电子事业部总裁Jochen Hanebeck表示:“通过采用300毫米薄晶圆工艺生产汽车功率场效应管,英飞凌加强了自身的技术与市场领先优势。英飞凌确保以具有竞争力的价格提供大规模量产的高性能汽车功率场效应管。我们的汽车行业客户将受益于供货保障,以及英飞凌300毫米薄
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英飞凌推出针对体二极管硬式整流进行了优化的快速二极管

  •   英飞凌科技股份公司日前推出200V和250V OptiMOSTM FD,进一步完善了中压产品组合。作为针对体二极管硬式整流进行优化的最新一代功率MOSFET,这些器件更加可靠耐用,具有更低的过冲电压和更低的反向恢复损耗,有助于实现最可靠的系统,特别是在硬开关应用中,如通讯系统、工业电源、D类音频放大器、电机控制(适用于48–110V系统)和直流/交流逆变器等。  提高可靠性,同时节省成本  OptiMOS FD家族具备针对最高性能标准而优化的反向恢复电荷(Qrr)。相比标
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英飞凌推出的汽车电源管理OptiMOS P2芯片

  • 英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)近日宣布推出采用先进沟道工艺制造的全新单P沟道40V汽车电源MOSFET产品系列。全新的40V OptiMOS P2产品为能效改进、碳减排和成本节约树立了行业新标杆,从而进一步巩固英飞凌在新一代汽车电源管理应用领域的领导地位。
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英飞凌推出全新40V P沟道OptiMOS P2芯片

  •   2011年9月9日,德国纽必堡讯——英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)近日宣布推出采用先进沟道工艺制造的全新单P沟道40V汽车电源MOSFET产品系列。全新的40V OptiMOS P2产品为能效改进、碳减排和成本节约树立了行业新标杆,从而进一步巩固英飞凌在新一代汽车电源管理应用领域的领导地位。
  • 关键字: 英飞凌  汽车电源  OptiMOS P2  

英飞凌推出OptiMOS调压MOSFET和DrMOS系列

  •   英飞凌科技股份公司近日宣布,公司将在2010年应用电力电子会议和产品展示会上,推出OptiMOS 25V器件系列,壮大OptiMOS 功率 MOSFET产品阵容。该系列器件经过优化,适合应用于计算机服务器电源的电压调节电路和电信/数据通信的开关。这种全新的MOSFET还被集成进满足英特尔DrMOS规范的TDA21220 DrMOS。   通过大幅降低三个关键的能效优值(FOM),这种全新的器件无论在任何负载条件下,都可使MOSFET功耗降低20%,同时达到更高的性能。此外,更高的功率密度还能让典型电
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英飞凌推出200V和250V OptiMOS系列器件

  •   英飞凌科技股份公司近日宣布推出200V和250V OptiMOSTM系列器件,进一步扩大OptiMOSTM产品阵容。全新200V和250V器件适用于48V系统、DC/DC变换器、不间断电源(UPS)和直流电机驱动。凭借同类器件中最低的优质化系数(FOM),OptiMOS 200V和250V技术可使系统设计的导通损耗降低一半。   对于应用二极管整流的48V开关电源而言,工程师们现在有了全新的选择,从而使得整体效率大于95%。这比当前典型的效率水平高出两个百分点,从功率损耗的角度看,也就是发热量降
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英飞凌推出OptiMOS 3 75V功率MOSFET系列

  •   今日在深圳举办的中国国际电源展览会上,英飞凌科技宣布推出OptiMOS™ 3 75V功率MOSFET系列。全新推出的这个产品系列具备业内领先的导通电阻(RDS(on))和品质因素(FOM, Qg * RDS(on))特性,可在任何负载条件下,降低开关模式电源(SMPS)、电机控制和快速开关D类功放等电源产品的功率损耗并改善其整体能效。   OptiMOS™ 3 75V功率MOSFET系列,是交流/直流开关模式电源(譬如面向全球市场的台式机和计算机服务器装备的电源)的同步整流的
  • 关键字: 英飞凌  MOSFET  OptiMOS  SMPS  

高效能电源需求催生MOSFET变革创新 英飞凌专家详解提升能效秘笈

  •   环境污染、温室效应、不可再生能源日趋枯竭……这些日益威胁人类生存的难题已经使全球有识之士认识到节能减排提高能效是未来科学技术活动一项长期的任务。正如英飞凌科技奥地利有限公司全球开关电源高级市场经理Thomas Schmidt所言:“能效不仅是个时髦词汇,更是一个全球挑战!”如何应对这项挑战?各个半导体纷纷从半导体器件入手,帮助系统公司提升电源效率,这方面,英飞凌近年来动作频频,近日,英飞凌公司高调发布其最新的OptiMOS 3系列低压MOSFET,并
  • 关键字: 英飞凌  半导体  OptiMOS  MOSFET  导通电阻  CanPAK封装  DirectFET封装  电源管理  
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