- Littelfuse P沟道功率MOSFETs，虽不及广泛使用的N沟道MOSFETs出名，在传统的应用范围也较有限，然而，随着低压（LV）应用需求的增加， P沟道功率MOSFET的应用范围得到拓展。高端侧（HS）应用P沟道的简易性使其对低压变换器（<120V）和非隔离的负载点更具吸引力。因为无需电荷泵或额外的电压源，高端侧（HS）P沟道MOSFET易于驱动，具有设计简单、节省空间，零件数量少等特点，提升了成本效率。本文通过对N沟道和P沟道MOSFETs进行比较，介绍Littelfuse P沟道功率M
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Littelfuse P沟道功率 MOSFETs
- Nexperia(安世半导体)3月初宣布安世半导体(中国)有限公司着力扩建的广东新分立器件封装和测试工厂正式投产，全厂总面积达到72,000 平方米，新增16,000 平方米生产面积，年产量达到900 亿件;根据产品组合，实现增长约50%，有力地支持了今后数年Nexperia 雄心勃勃的业务发展计划。广东新工厂的投产，使Nexperia 全年总产量超过1 千亿件。本次新工厂投产的最大推动力源于2016年中国的建广资产以27.5亿美元收购恩智浦（NXP）标准件业务，并以此为基础组建了全新的Nexperia(
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Nexperia 分立器件 MOSFETs 逻辑器件
- 市场人气颇高的意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)MDmesh™ M2系列的N-沟道功率MOSFETs再增添新成员，新系列产品能够为服务器、笔记本电脑、电信设备及消费电子产品电源提供业内最高能效的电源解决方案，在低负载条件下的节能效果尤为显著，让设计人员能够开发更轻、更小的开关式电源，同时轻松达到日益严格的能效目标要求。
新款600V MDmesh M2 EP产品整合意法半导体经过市场检验的条形布局(strip layout)和全新改进的垂直结构和优化的扩散工
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意法半导体 MOSFETs
- 一、半导体产业生态环境
半导体产业诞生于上世纪70年代，当时主要受两大因素驱动：一是为计算机行业提供更符合成本效益的存储器;二是为满足企业开发具备特定功能的新产品而快速生产的专用集成电路。
到了80年代，系统规范牢牢地掌握在系统集成商手中。存储器件每3年更新一次半导体技术，并随即被逻辑器件制造商采用。
在90年代，逻辑器件集成电路制造商加速引进新技术，以每2年一代的速度更新，紧跟在内存厂商之后。技术进步和产品性能增强之间不寻常的强相关性，使得相当一部分系统性能和利润的控制
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半导体技术 MOSFETs
- 一、半导体产业生态环境
半导体产业诞生于上世纪70年代，当时主要受两大因素驱动：一是为计算机行业提供更符合成本效益的存储器;二是为满足企业开发具备特定功能的新产品而快速生产的专用集成电路。
到了80年代，系统规范牢牢地掌握在系统集成商手中。存储器件每3年更新一次半导体技术，并随即被逻辑器件制造商采用。
在90年代，逻辑器件集成电路制造商加速引进新技术，以每2年一代的速度更新，紧跟在内存厂商之后。技术进步和产品性能增强之间不寻常的强相关性，使得相当一部分系统性能和利润的控制
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半导体 MOSFETs
- 摘要：通过分析设计，提出了一种新型结构的叠栅MOSFET，它的栅电容是由两个电容混联组成，所以它有较小的栅电容和显著的抑制短沟道效应的作用。模拟软件MEDICI仿真结果验证了理论分析的预言，从而表明该结构可用作射
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研究 结构设计 MOSFETs 叠栅
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