- 以色列希伯来大学物理学家乌利埃尔·利维及其研究团队一直致力于研发一种全新的芯片技术，经过3年多的不懈努力，日前，该研究工作终于有了结果。 他们利用“金属—氧化物—氮化物—氧化物—硅”结构(MONOS)，开发了一种新型集成光子回路制备技术，据此可以在微芯片上使用闪存技术，有望使个头儿更小、运行速度更快的光子芯片成为现实，其运算频率甚至可以达到太赫兹量级，从而将使计算机及相关光学通信设备的运行速度提高100倍。 近年来，太赫兹技术成为备受关注的科技交叉前沿领域，在微芯片领域也颇有潜力。一般来说，光通信
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光子芯片，MONOS
- 全球领先的半导体解决方案供应商瑞萨电子株式会社(TSE：6723)今日宣布成功开发出全球首款(注1)分离闸金属氧化氮氧化硅(SG-MONOS，注2)闪存单元，该单元采用鳍状晶体管，用于配有电路线宽为16至14纳米(nm)或更细的片上闪存的微控制器(MCU)。SG-MONOS技术能够可靠应用于汽车应用，瑞萨电子目前正在采用该技术量产40纳米的MCU，28纳米的MCU也正在研发过程中。这一成功开发表明SG-MONOS技术对16/14纳米及以上的制程节点具有优异的可扩展性。
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瑞萨电子 MONOS
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