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波士顿半导体设备公司完成总部及Aetrium测试分类机事业部迁址

  •   2015年年3月17日麻州柏林顿市报导 - 波士顿半导体设备公司(BSE)今天宣布已完成进驻位于麻州比勒利卡联邦街4号的全新企业总部全新的办公大楼涵盖各种部门,其中于2014年年并购的Aetrium测试分类机事业部也从明尼苏达州一并迁移到麻州。   「新场所有足够的空间,可以容纳我们未来持续的扩张与成长。」波士顿半导体设备公司总裁与首席执行官Bryan Ba​​nish 这么说。 「Aetrium 测试分类机事业部的转型非常顺利,比勒利卡的工厂也已经开始投入生产。分类机将会于本月开始出货。」   
  • 关键字: 半导体  BSE  Aetrium  

波士顿半导体设备宣布扩张业务与服务组织架构

  •   波士顿半导体设备公司(Boston Semi Equipment LLC)(BSE 集团)今日宣布已完成MVTS及Aetrium 与BSE 经销管道的业务与服务团队整合。本次整合将形成单一管道的全球业务与服务团队,为BSE 顾客提供更优质服务。企业组织延揽了50 位经验丰富的半导体设备产业专家,分布于全球各地,为各国半导体公司解决包括研发实验室到制造厂房的使用需求。   「此次组织整合的完成,将提供17 位业务与应用程式专家以及33 位服务技术专员,给予10 个国家市场的BSE 客户支援。」BSE
  • 关键字: 波士顿半导体  MVTS  BSE   

波士顿半导体设备公司收购MVTS 技术公司

  •   波士顿半导体设备公司(BSE) 近日宣布其已完成对MVTS 技术公司(MVTS) 的收购。 BSE 和MVTS 均为重新翻修的自动化测试设备(ATE) 市场中的业界领先企业。两间公司在产品系列、服务提供和全球影响力方面合二为一,将为二级市场寻求ATE 设备解决方案的公司提供一个单一、全面的来源。  波士顿半导体设备公司总裁兼执行长Bryan Banish 表示:「这笔收购显著增强了我们的ATE 业务。MVTS 的服务一向享有盛誉,并且与原厂设备制造商的合作历史悠久。」  自1994 年以来,MVTS
  • 关键字: BSE  MVTS  OEM  

波士顿半导体推出Aetrium分选机直销与服务

  •   波士顿半导体设备公司(BSE) 近日宣布,其在亚洲的现有销售与服务机构将立即开始在该地区提供Aetrium 分选机的销售与服务。 BSE 最近收购了Aetrium Inc. 的测试分选机资产(其使用者与使用波士顿半导体设备公司现有自动化测试设备(ATE) 的公司及部门相同)。 BSE 庞大的亚洲销售与服务团队力量将为Aetrium 分选机提供支援, 更可以加强该公司对亚洲地区关键半导体制造商及封测代工(OSAT) 客户的支援。  波士顿半导体设备公司执行副总裁Colin Scholefield 称:「
  • 关键字: BSE  Aetrium  ATE  

波士顿半导体设备公司宣布已与泰瑞达达成诉讼和解

  • 2013 年 10 月 24 日,波士顿半导体设备公司 ("BSE") 宣布其已与泰瑞达 (Teradyne) 就所有未决诉讼事宜达成和解,并签署了一项协议。
  • 关键字: 泰瑞达  BSE  

BSE集团半导体制造设备组合已超过1.50亿美元

  • Boston Semi Equipment, LLC(BSE 集团)宣布,其 Test Advantage Capital 集团管理的半导体制造设备组合已超过1.50 亿美元,这标志着公司到达一个重要里程碑。Test Advantage Capital 是与合伙公司 Somerset Capital Group 共同创办的,主要为客户制定结构化融资计划,帮助客户利用可以提高灵活性和融资效益的融资策略获得资产。Boston Semi Equipment 的租赁业务也在不断增长,获得了其财务合作伙伴 Wafr
  • 关键字: BSE  半导体  

Test Advantage通过收购Microstats拓展亚洲业务

  • Boston Semi Equipment Group(BSE 集团)旗下公司 Test Advantage 今天宣布已经收购了位于菲律宾的一家面向自动测试设备 (ATE) 市场的硬件维修中心 Microstats, LLC。这两家公司将整合它们的产品、解决方案和共同的客户群,以增强 Test Advantage 在后端半导体市场的产品和服务。
  • 关键字: BSE   ATE  
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bse介绍

  背散射电子   back scattered electron   背散射电子是由样品反射出来的初次电子,其主要特点是: 能量很高,有相当部分接近入射电子能量 E 0 ,在试样中产生的范围大,像的 分辨率低。 背散射电子发射系数 η =I B /I 0 随原子序数增大而增大。 作用体积随入射束能量增加而增大,但发射系数变化不大。 [ 查看详细 ]

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