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EEPW首页 >> 主题列表 >> 闩锁效应

闩锁效应 文章

功率半导体IGBT失效分析与可靠性研究

  • 高端变频空调在实际应用中出现大量外机不工作,经过大量失效主板分析确认是主动式PFC电路中IGBT击穿失效,本文结合大量失效品分析与电路设计分析,对IGBT失效原因及失效机理分析,分析结果表明:经过对IGBT失效分析及IGBT工作电路失效分析及整机相关波形检测、热设计分析、IGBT极限参数检测对比发现IGBT失效由多种原因导致,IGBT在器件选型、器件可靠性、闩锁效应、驱动控制、ESD能力等方面存在不足,逐一分析论证后从IGBT本身及电路设计方面全部提升IGBT工作可靠性。
  • 关键字: 主动式PFC升压电路  IGBT  SOA  闩锁效应  ESD  热击穿失效  202108  MOSFET  

一种非对称双向可控硅静电防护器件的设计*

  • 非对称双向可控硅(ADDSCR)是在考虑了保护环结构之后,为使I-V特性曲线对称而设计的非对称结构,但是其维持电压较低,容易闩锁。为了提高传统ADDSCR的维持电压,基于0.18 μm BCD工艺,设计维持电压高的HHVADDSCR。经TCAD仿真,证明HHVADDSCR具有高维持电压,避免了闩锁,且器件适用于传输电平在18~60 V的芯片信号端口的静电保护。
  • 关键字: 202107  非对称可控硅  维持电压  ESD  闩锁效应  
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闩锁效应介绍

  目录   1 简介   2 原理分析   简介   闩锁效应是CMOS工艺所特有的寄生效应,严重会导致电路的失效,甚至烧毁芯片。闩锁效应是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的n-p-n-p结构产生的,当其中一个三极管正偏时,就会构成正反馈形成闩锁。避免闩锁的方法就是要减小衬底和N阱的寄生电阻,使寄生的三极管不会处于正偏状态。 静电是一种看不见的破坏力,会对电子元器件 [ 查看详细 ]

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