- 在IGBT时代，门极电压的选择比较统一，无非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V这几档。而在新兴的SiC MOSFET领域，还未有约定俗成的门极电压规范。本文愿就SiC MOSFET的门极电压选择上的困惑，提供些有用的参考。下文所述，主要以英飞凌工业1200V SiC MOSFET的M1H系列产品与应用为参考，其他不同电压等级或不同厂家的SiC产品，不尽相同。在SiC产品的规格书中，都会有SiC Vgs电压范围和推荐电压区间(如图1所示)，以供大家在实际应用中参考。但是推荐非强制，
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英飞凌 Vgs 门极电压
门极电压介绍
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