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超结mosfet器件 文章

支持功率因数校正和反激拓扑的新型950 V CoolMOS P7超结MOSFET器件

  • 更高密度的低功率SMPS设计需要越来越多的高压MOSFET器件。英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出CoolMOS™ P7系列的新成员950 V CoolMOS P7超结MOSFET器件。该器件甚至能达到最严格的设计要求:用于照明、智能电表、移动充电器、笔记本适配器、AUX电源和工业SMPS应用。这种全新半导体解决方案能实现出色的散热性能及能源效率,减少用料并降低总生产成本
  • 关键字: 950 V CoolMOS P7  超结MOSFET器件  全新半导体  
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超结mosfet器件介绍

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