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支持功率因数校正和反激拓扑的新型950 V CoolMOS P7超结MOSFET器件

作者:时间:2018-08-28来源:英飞凌收藏

2018827日,德国慕尼黑讯——更高密度的低功率SMPS设计需要越来越多的高压MOSFET器件。英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出CoolMOS™ P7系列的新成员超结MOSFET器件。该器件甚至能达到最严格的设计要求:用于照明、智能电表、移动充电器、笔记本适配器AUX电源和工业SMPS应用。这种解决方案能实现出色的散热性能及能源效率,减少用料并降低总生产成本。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/201808/391264.htm

950 VCoolMOS P7的特性包括出色的DPAK导通电阻,能实现更高密度的设计。此外,出色的VGS(th)和最低VGS(th)容差使该MOSFET器件易于驱动和设计。与英飞凌业界领先的P7系列其他成员类似的是,该器件集成齐纳二极管ESD保护机制。这可以提高装配生产量,从而降低成本,并减少与ESD有关的生产问题。

950 VCoolMOS P7能使效率提升达1%,并且MOSFET温度得以降低2 ˚C10 ˚C,实现更高能效的设计。相比前几代CoolMOS系列而言,该器件还将开关损耗降低达58%。较之市场上的竞争技术,这方面的性能提升超过50%

950 VCoolMOS P7采用TO-220 FullPAKTO-251 IPAK LLTO-252 DPAKSOT-223封装。这样就可以从通孔插装器件(THD)变为表面贴装器件(SMD)。

关于英飞凌

英飞凌科技股份公司是全球领先的半导体科技公司,我们让人们的生活更加便利、安全和环保。英飞凌的微电子产品和解决方案将带您通往美好的未来。2017财年(截止930日),公司的销售额达71亿欧元,在全球范围内拥有约37,500名员工。英飞凌在法兰克福证券交易所(股票代码:IFX)和美国柜台交易市场OTCQX International Premier(股票代码:IFNNY)挂牌上市。

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英飞凌科技股份公司于1995年正式进入中国市场。自199510月在无锡建立第一家企业以来,英飞凌的业务取得非常迅速的增长,在中国拥有约2000名员工,已经成为英飞凌亚太乃至全球业务发展的重要推动力。英飞凌在中国建立了涵盖研发、生产、销售、市场、技术支持等在内的完整的产业链,并在销售、技术研发、人才培养等方面与国内领先的企业、高等院校开展了深入的合作。




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