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超结 文章

超结高压MOSFET驱动电路及EMI设计

  • 分析了超结结构功率MOSFET在开关过程中由于Coss和Crss电容更强烈的非线性产生更快开关速度的特性;给出了不同外部驱动参数对开关过程的dV/dt和di/dt的影响;列出了不同驱动电路开关波形及开关性能的变化。最后,设计了优化驱动电路,实现优化的EMI结果,并给出了相应驱动电路的EMI测试结果。
  • 关键字: 202106  超结  驱动  EMI  非线性  MOSFET  

理解MOSFET时间相关及能量相关输出电容Coss(tr)和Coss(er)

  • Understanding time-related and energy-related output capacitances Coss(tr) and Coss(er)刘松(万国半导体元件(深圳)有限公司,上海 静安 200070)      摘要:本文论述了功率MOSFET数据表中静态输出电容Coss、时间相关输出电容Coss(tr)和能量相关输出电容Coss(er)的具体定义以及测量的方法,特别说明了在实际的不同应用中,采用不同的输出电
  • 关键字: 输出电容  死区时间  开关损耗  超结  201904  
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