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绝缘体上硅 文章

一种增大质量块的三轴MEMS加速度计的设计

  •   冯 堃,张国俊,王姝娅,戴丽萍,钟志亲(电子科技大学 电子科学与工程学院,成都611731)  摘 要:介绍了一种增大质量块设计的三轴MEMS加速度计。该加速度计基于绝缘体上硅(SOI)硅片,采用双面光刻、干法刻蚀的工艺,利用了部分SOI硅片的底层硅部分来增大加速度计的质量块,设计了基于单一米字形质量块的三轴MEMS电容式微加速度计。根据不同的外界加速度对器件产生的不同位移,研究了在三个轴向的加速度计的灵敏度,同时分析了加速度计的交叉轴耦合的影响。最后结合Ansys仿真结果得出:所设计的微加速度计具有
  • 关键字: 202005  微机械系统  三微加速度计  高灵敏度  绝缘体上硅  
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绝缘体上硅介绍

  绝缘体上硅(SOI,Silicon-on-insulator)被业界公认为纳米技术时代取代现有单晶硅材料的解决方案之一,是维持 Moore 定律走势的一大利器。绝缘体上硅是指以“工程化的”基板代替传统的体型衬底硅的基板技术,应用于诸如军事和空间电子系统等一些专门场合已有20多年,由于SOI具有良好的抗辐射性和高速特性,使它在这些领域具有独特的优势。  SOI 材料是 SOI 技术发展的基础,S [ 查看详细 ]

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