首页  资讯  商机   下载  拆解   高校  招聘   杂志  会展  EETV  百科   问答  电路图  工程师手册   Datasheet  100例   活动中心  E周刊阅读   样片申请
EEPW首页 >> 主题列表 >> 碳化硅(sic)mosfet

碳化硅(sic)mosfet 文章 进入碳化硅(sic)mosfet技术社区

功率MOSFET数据表深入分析

  • 本文不准备写成一篇介绍功率MOSFET的技术大全,只是让读者去了解如何正确的理解功率MOSFET数据表中的常用主要参数,以帮助设计者更好的使用功率MOSFET进行设计。  数据表中的参数分为两类:即最大额定值和电气特性值。
  • 关键字: MOSFET  数据表  分析    

飞兆半扩展PowerTrench MOSFET系列

  • 提升功率密度和轻载效率是服务器、电信和AC-DC电源设计人员的主要考虑问题。此外,这些开关电源(SMPS)设计中的同步整流需要具有高性价比的电源解决方案,以便最大限度地减小线路板空间,同时提高效率和降低功耗。
  • 关键字: 飞兆  MOSFET  

空间受限型应用中的PMBus热插拔电路介绍

IR推出优化版车用功率MOSFET产品

  • 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出具备低导通电阻的AUIRFR4292和AUIRFS6535车用功率MOSFET,适用于汽油和柴油发动机压电喷射系统。
  • 关键字: IR  MOSFET  

详细介绍如何运用MOSFET实现完美安全系统

  • 汽车上许多组建的多元应用,从车上的灯泡到继电器、从LED显示照明到启动马达,不仅提供了各式各样的高负载型、低成本效益的解决方案,也兼具了注重安全性汽车所必须的通讯和诊断能力。因此,设计人员为了增加车上电子
  • 关键字: MOSFET  详细介绍  如何运用  安全系统    

MOSFET驱动器及功耗计算介绍

  • 我们先来看看MOS关模型:



    Cgs:由源极和沟道区域重叠的电极形成的,其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。
    Cgd:是两个不同作用的结果。第一JFET区域和门电极的重叠,第二是
    耗尽区电容
  • 关键字: MOSFET  驱动器  功耗计算    

提升电源转换效率的自定时电压检测同步MOSFET控制方案

  • 标签:电源 谐振转换器 高压电源 直流电源 MOSFET现代电子设备功能越来越多,设备功能的高功耗对环境的影响也越来越大。提高电源效率是降低功耗的方法之一。谐振拓扑具有较高效率,很多大功率消费电子产品和计算机
  • 关键字: 同步  MOSFET  控制  方案  检测  电压  电源  转换  效率  定时  

MOSFET双峰效应的评估方法简介

  • 金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)是由一个金氧半(MOS)二机体和两个与其紧密邻接的P-n接面(p-n junction)所组成。自从在1960年首次证明后,MOSFET快速的发展
  • 关键字: MOSFET  双峰效  方法    

功率器件的新时代汽车电子功率MOSFET技术

  • 过去15到20年间,汽车用功率MOSFET已从最初的技术话题发展到蓬勃的商业领域。选用功率MOSFET是因为其能够耐受汽车电子系统中常遇到的掉载和系统能量突变等引起的瞬态高压现象,且其封装简单,主要采用TO220 和 TO247
  • 关键字: MOSFET  功率器件  汽车电子    

瑞萨电子推出新款超级结MOSFET

  • 瑞萨电子公司 (TSE: 6723),高级半导体解决方案的主要供应商,日前宣布推出三款新型超级结金属氧化物场效应三极管(超级结MOSFET),具有如下的特点:600V功率半导体器件中的导通电阻X栅极电荷,适用于高速电机驱动、DC-DC转换器和DC-AC逆变器应用。
  • 关键字: 瑞萨  MOSFET  

MOSFET驱动器及功耗计算方法

  • 我们先来看看MOS关模型:



    Cgs:由源极和沟道区域重叠的电极形成的,其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。
    Cgd:是两个不同作用的结果。第一JFET区域和门电极的重叠,第二是
    耗尽区电容
  • 关键字: MOSFET  驱动器  功耗计算  方法    

Vishay推出新款8V N沟道TrenchFET 功率

  • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新款8V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiA436DJ。该器件采用占位面积2mm x 2mm的热增强型PowerPAK® SC-70封装,具有N沟道器件中最低的导通电阻。
  • 关键字: Vishay  MOSFET  SiA436DJ  

高效能低电压Power MOSFET及其参数与应用

  • 前言近年来,产业的发展、有限的资源及日益严重的地球暖化现象,促使环保节能的观念逐渐受到重视,更造...
  • 关键字: 高效能  Power  MOSFET  

MHP技术在锂电池电路保护中的应用

  • 锂离子电池的先进技术使得高能量的锂离子电池具备更高的能量密度和更轻的重量,可以取代诸如电动工具、电...
  • 关键字: MHP技术  锂电池  电路保护  MOSFET  
共1694条 79/113 |‹ « 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 » ›|

碳化硅(sic)mosfet介绍

您好,目前还没有人创建词条碳化硅(sic)mosfet!
欢迎您创建该词条,阐述对碳化硅(sic)mosfet的理解,并与今后在此搜索碳化硅(sic)mosfet的朋友们分享。    创建词条

热门主题

树莓派    linux   
关于我们 - 广告服务 - 企业会员服务 - 网站地图 - 联系我们 - 征稿 - 友情链接 - 手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
备案 京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案:1101082052    京公网安备11010802012473