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热模型 文章

碳化硅MOSFET的短路实验性能与有限元分析法热模型的开发

  •   摘要:本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路实验(SCT)表现。具体而言,该实验的重点是在不同条件下进行专门的实验室测量,并借助一个稳健的有限元法物理模型来证实和比较测量值,对短路行为的动态变化进行深度评估。  前言  就目前而言,碳化硅(SiC)材料具有极佳的的电学和热学性质,使得碳化硅功率器件在性能方面已经超越硅产品。在需要高开关频率和低电能损耗的应用中,碳化硅MOSFET正在取代标准硅器件。半导体技术要想发展必须解决可靠性问题,因为有些应用领域对可靠性要求十分严格,例如:汽车、飞机、制造业和再
  • 关键字: 碳化硅(SiC)MOSFET  短路  热模型  失效分析  栅极氧化层可靠性  

包含热模型的新型MOSFET PSPICE模型

  • 1. 引言  散热器在计算时会出现误差,一般说来主要原因是很难精确地预先知道功率损耗,每只器件的参数参差不 ...
  • 关键字: 热模型  MOSFET  PSPICE  

面向 Vishay 光耦合器产品的新型热模型可缩短设计时间

  •  Vishay 是率先为总功耗大于 200mW 的新器件提供 详细热数据的光耦合器与固体继电器制造商 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代码:VSH)宣布,该公司目前正在为最近推出的总功耗为 200mW 及更高的光耦合器及固体继电器 (SSR) 提供详细的热特性数据。Vishay 是业界率先提供热模型的光耦合器与 SSR 制
  • 关键字: Vishay  单片机  电源技术  光耦合器产品  模拟技术  嵌入式系统  热模型  设计时间  
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热模型介绍

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