宜普电源转换公司（EPC）新推40 V、1.1 mΩ的氮化镓场效应晶体管（EPC2066），为设计工程师提供比硅MOSFET更小、更高效的器件，用于高性能、占板面积受限的应用。全球行业领先供应商宜普电源转换公司 为业界提供增强型氮化镓（eGaN®）功率场效应晶体管和集成电路，新推40 V、典型值为0.8 mΩ的EPC2066氮化镓场效应晶体管，为客户提供更多可选的低压氮化镓晶体管和可以立即发货。EPC2066的低损耗和小尺寸使其成为用于最新服务器和人工智能的高功率密度、40 V~60 V/12 V DC/
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氮化镓 场效应晶体管
摘要：用场效应晶体管设计出有胆味的音频功率放大器。前级采用单管、甲类，后级采用甲乙类推挽放大技术。实验证明差分放大器使用的对管的一致性与整机的失真程度密切相关。从听音效果来看，末级电流200mA是理想值。前
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甲类 场效应晶体管 对称性 末级电流
我们常接触到晶体三级管，对它的使用也比较熟悉，相对来说对晶体场效应管就陌生一点，但是，由于场效应管有其独特的优点，例输入阻抗高，噪声低，热稳定性好等，在我们的使用中也是屡见不鲜。我们知道场效应晶体管的种类很多，根据结构不同分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管;绝缘栅型场效应管又称为金属氧化物导体场效应管，或简称MOS场效应管.
1、如何防止绝缘栅型场效应管击穿
由于绝缘栅场效应管的输入阻抗非常高，这本来是它的优点，但在使用上却带来新的问题.由于输入阻抗高，当带电荷物体一旦靠近栅极时，在栅极感
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场效应晶体管
我们常接触到晶体三级管，对它的使用也比较熟悉，相对来说对晶体场效应管就陌生一点，但是，由于场效应管有其独特的优点，例输入阻抗高，噪声低，热稳定性好等，在我们的使用中也是屡见不鲜。我们知道场效应晶体管的种类很多，根据结构不同分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管;绝缘栅型场效应管又称为金属氧化物导体场效应管，或简称MOS场效应管.
1、如何防止绝缘栅型场效应管击穿
由于绝缘栅场效应管的输入阻抗非常高，这本来是它的优点，但在使用上却带来新的问题.由于输入阻抗高，当带电荷物体一旦靠近栅极时，在栅极感
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场效应晶体管
我们常接触到晶体三级管，对它的使用也比较熟悉，相对来说对晶体场效应管就陌生一点，但是，由于场效应管有其独特的优点，例输入阻抗高，噪声低，热稳定性好等，在我们的使用中也是屡见不鲜。我们知道场效应晶体管的种类很多，根据结构不同分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管;绝缘栅型场效应管又称为金属氧化物导体场效应管，或简称MOS场效应管. 1、如何防止绝缘栅型场效应管击穿 由于绝缘栅场效应管的输入阻抗非常高，这本来是它的优点，但在使用上却带来新的问题.由于输入阻抗高，当带电荷物体一旦靠近栅极时，在栅极感应出来的
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场效应晶体管 MOS
由美国波音公司和通用汽车公司拥有的研发实验室-HRL实验室已经宣布其实现互补金属氧化物半导体(CMOS)FET技术的首次展示。该研究结果发表于2016年1月6日的inieee电子器件快报上。
在此过程中，该实验室已经确定半导体的卓越晶体管性能可以在集成电路中加以利用。这一突破为氮化镓成为目前以硅为原材料的电源转换电路的备选技术铺平了道路。
氮化镓晶体管在电源开关和微波/毫米波应用中有出色的表现，但该潜力还未用于集成功率转换。“除非快速切换GaN功率晶体管在电源电路中故意放缓，否
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GaN 场效应晶体管
简介：我们常接触到晶体三级管，对它的使用也比较熟悉，相对来说对晶体场效应管就陌生一点，但是，由于场效应管有其独特的优点，例输入阻抗高，噪声低，热稳定性好等，在我们的使用中也是屡见不鲜。我们知道场效应晶体管的种类很多，根据结构不同分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管;绝缘栅型场效应管又称为金属氧化物导体场效应管，或简称MOS场效应管.
1、如何防止绝缘栅型场效应管击穿
由于绝缘栅场效应管的输入阻抗非常高，这本来是它的优点，但在使用上却带来新的问题.由于输入阻抗高，当带电荷物体一旦靠近栅极时，在
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场效应晶体管
据科学日报报道，有机半导体因发光二极管(LED)、场效应晶体管(FETs)和光伏电池而获奖，由于它们可以通过溶液打印，它们提供了相对基于硅设备的高度可伸缩、成本效益较高的替代方案。然而，性能表现参差不齐有机半导体是一直存在的问题。科学家们知道性能问题源于有机半导体薄膜内部的界面，但却一直不清楚背后的原因，这一谜题直到近期才被解决。
混杂的随机排列的纳米微晶，后者在溶液浇铸时会被动力学围困
美国能源部(DOE)劳伦斯伯克利国家实验室的科学家、美国加州大学伯克利分校的娜奥美·金斯
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有机半导体 LED 场效应晶体管
宜普电源转换公司推出全功能降压型功率转换演示电路 -- EPC9118演示板，可支持30 V至60 V输入电压并转至5 V、 具20 A最高输出电流及400 kHz频率的降压转换器。它采用EPC2001 及EPC2015增强型氮化镓(eGaN®)场效应晶体管(FET)及LTC3891降压控制器。这个降压转换器设计是电信、工业及医疗应用所需的配电解决方案的理想设计。
EPC9118演示板在小型版图上(1” x 1.3”)包含全功率级(包括氮化镓场效应晶体管、驱动器、
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宜普电源 EPC9118 场效应晶体管
采用80V(绝对最大额定值)高电压工艺实现小型封装东京—东芝公司今天宣布推出适用于步进电机的一款双单极电机驱动器芯片(IC)TB67S158。样品出货即日启动，而批量生产计划于10月启动。
娱乐游戏机、家用电器和工业设备等产品所需的电机和驱动器IC数量正在日益增加。除此以外，制造商也正被要求缩小其设备尺寸，以节省空间，降低能耗。因此，人们日益期望驱动器IC能够在驱动电机中扮演多重角色。
东芝目前的驱动器IC“TB67S149”只能控制一个
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东芝 步进电机 场效应晶体管
由于氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)具备卓越性能例如具低输出电容、低输入电容、低寄生电感及小尺寸，它是高度谐振并符合Rezence无线充电联盟(A4WP)规格的无线电源传送系统的理想器件，可提高系统的效率。
宜普电源转换公司宣布推出无线电源转换演示套件。该套件备有40 V(EPC9111)及100 V(EPC9112)器件并包含以下三个组件：
发射板(或放大器)
符合A4WP等级3规格的发射线圈
符合A4WP类别3规格、包含线圈的接收板
该系统可传送达35
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宜普电源 场效应晶体管 Rezence
葡萄牙新里斯本大学（New University of Lisbon）的研究人员于日前成功研制了全球首款用纸层制成的晶体管，这种晶体管比采用氧化物半导体制成的普通薄膜晶体管（TFT）更具竞争力。
据负责此项研究的Elvira Fortunato和Rodrigo Martins透露，这种新型晶体管具备与采用氧化物半导体制成的薄膜晶体管一样的性能，纸质晶体管可以用在纸质显示屏、智能标签、生物程序和RFID（无线射频识别）电子标签等新型电子设备中。虽然目前业界十分看重采用生物高聚物的低成本电子产品
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晶体管 新里斯本大学 场效应晶体管
前言：
在 SMPS(Switching Mode Power Supply) 以及 DC-DC 转换器设计中 , 使用场效应晶体管当作切换开关已经越来越普遍。在设计中为了减少尺寸大小和提升电源密度 , 其电源操作工作频率也要求越来越高。如此会造成较高的 di/dt 产生使得杂散电感效应加诸于场效应晶体管两端 (Drain & Source) 的瞬间电压会更加明显。尤其在电源开机的霎那间 , 此瞬间电压会达到最大值。这是由于变压器一次侧电感值相当于漏电感 ( 最小电感值 ) 而且输出电容
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电源 场效应晶体管 SMPS UIS 崩溃效应
l 前言
绝缘栅场效应晶体管(IGBT)作为一种复合型器件，集成了MOSFET的电压驱动和高开关频率及功率管低损耗、大功率的特点，在电机控制、开关电源、变流装置及许多要求快速、低损耗的领域中有着广泛的应用。本文对应用于有源电力滤波器的IGBT的特性及其专有EXB84l型驱动器的设计进行讨论，并提出一种具有完善保护功能的驱动电路。
有源电力滤波器设计中应用4个IGBT作为开关，并用4个EXB84l组成驱动电路，其原理如图l所示。在实验中，根据补偿电流与指令电流的关系，用数字信号处理器(DSP
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IGBT MOSFET 场效应晶体管 电源
东芝公司(Toshiba Corporation)日前宣布其已开发了用于Ku波段(12GHz到18GHz)频率范围的氮化镓(GaN)功率场效应晶体管(FET)，使该频率范围在14.5GHz上实现了65.4瓦的输出功率，这也是迄今为止该频率范围所能支持的最高性能水平。该新型晶体管主要应用于卫星微波通信基站，用以传输包括高清晰广播在内的大容量信号。东芝公司计划于2007年底供应该新型功率场效应晶体管的样品，并于2008年3月底进行大规模生产。 Ku波
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嵌入式系统 单片机 东芝 场效应晶体管 MCU和嵌入式微处理器
场效应晶体管介绍
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
场效应管-基本特点
方型场效应管
场效应管属于电压控制元 [
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