瑞萨开发出具有45nm及以上工艺的微处理器和SoC器件
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像以前的技术一样,新的半导体制造技术有一个采用氮化钛(TiN)金属栅极的P型晶体管,以及一个采用传统多晶硅栅极的N型晶体管。不过,新的P型晶体管采用两层栅极结构,而不是单层栅极,以更有效地控制门限电压(注2)。而且,新型混合结构利用应变硅制造技术来提升驱动电流能力。与以前的瑞萨混合结构相比,这些创新产品的性能大约提高了20%。重要的是,新型结构可以实现低成本制造,因为它不需要对目前的制造工艺进行重大改变。
一个包含40 nm栅极长度晶体管的实验芯片已经制造完成。对这个芯片的测试数据证实了其全球顶级水平的驱动性能:在1.2 V电源电压条件下,N型晶体管为1,068μA/μm,P型晶体管为555μA/μm。
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