基于ARM7软中断程序的设计

　　4 实现方案

　　4.1 SWI实现接口程序

　　如图1所示，LPC2458内部的FLASH存放boot程序，外部的FLASH存放应用程序。在需要擦写外部FLASH时，由应用程序产生一个软中断，使程序跳到内部FLASH中运行。CPU不再从片外FLASH中取指令，因此可擦写片外FLASH。当软中断程序运行完毕后，程序又跳回片外FLASH中。

　　由于SWI软中断中传送参数比较麻烦，我们的SWI软中断程序仅返回处理函数的地址，获得地址后，重定义为函数地址指针的方法简化处理，使程序的可读性和维护性增强。

　　我们以FLASH的写函数举例说明采用SWI方式的流程。

　　//定义函数指针类型
　　typedef unsigned long (*FuncWR_t)(unsigned long, void *, unsigned long);
　　//定义写FLASH函数，调用软中断
　　unsigned long Write_Flash(unsigned long StartAddr, unsigned short* DataPtr, unsigned long Count)
　　{
　　Extern unsigned long __swi(3) Get_Write_Addr(void);
　　FuncWR_t Func; //定义一个函数指针
　　Func = (FuncWR_t)Get_Write_Addr();
　　return Func(StartAddr, DataPtr, Count);
　　}
　　unsigned long __swi(3)Get_Write_Addr(void);
　　unsigned long __swi_3(void) //Get Write Flash Function Address
　　{
　　return (unsigned long)NorFlash_Write;
　　}

　　NorFlash_Write函数接口定义如下：

　　unsigned long NorFlash_Write(unsigned long StartAddr, unsigned short * DataPtr, unsigned long Count);

　　4.2 CFI接口实现

　　对于FLASH中采用CFI接口的编程实现，在网上有很多的源码可以参考，本文不再对此详述。以写FLASH为例，函数如下：

　　unsigned long NorFlash_Write(unsigned long StartAddr, unsigned short * DataPtr, unsigned long Count)
　　{
　　……..
　　……..
　　WRITE_CMD(0X5555,0XAAAA);
　　WRITE_CMD(0X2AAA,0X5555);
　　WRITE_CMD(0X5555,0XA0A0);
　　……..
　　……..
　　}

　　5 总结

　　本文以ARM7内核的LPC2458 MCU，采用软中断的方法实现片外FLASH在运行程序时，同时实现对此FLASH的写操作例程。详细描述了ARM7内核的MCU软中断程序的设计方法。希望能对使用ARM7内核、Cortex-M3/M4内核的MCU，实现软中断程序起到一个参考的作用。

　　参考文献：
　　[1]S29GL-N_00.pdf[R/OL].百度文库[2013-1-17].http://wenku.baidu.com/link?url=uIBbmLbL0OkLtOKPZScgd1Pdc0BfBgwwklmKxNfW5ai8YWEl00BOGuZM3ZZMp6stRW4DWEWJZsvIBRDMU1W2kVLpaVul8loAlKsKQFq7CZ3
　　[2]杜春雷.ARM体系架构与编程.清华大学出版社
　　[3]LPC2458 datasheet.pdf[R/OL]. (2008-8-24).http://www.elecfans.com/soft/39/2008/200808247525.html
　　[4]SWI软中断[R/OL].百度文库[2012-5-5]. http://wenku.baidu.com/link?url=bzr8t4KV2YQPXVCQC41uZzaEEZLke4yYmBhnToZGGoEqbk_eAmTI-qi4DCs8wgr7RBntegBxj_lP3u3cBmfwmdAhe8B31BxHcDfHba42bp_
　　[5]SWI的具体分析[R/OL]. 百度文库[2011-3-28]. http://wenku.baidu.com/view/f002e5ffc8d376eeaeaa313c.html