分析:高辉度4元系LED芯片技术与制作方法

AlGaInP LED系化合物半导体的折射率为3.5，密封LED芯片的环氧树脂与硅树脂的折射率为1.4~1.5，换句话说树脂与芯片界面，大约有2倍左右的折射率差，因此在界面会发生内部反射。将光线从芯片取至外部时，光线的入射角几乎与界面呈垂直状，为防止内部反射，光学设计必需作界面附近的光线的入射角控制。具体方法例如将芯片形状加工成具备多面体形状，或是将芯片表面制成凹凸状，等防止内部反射的改善技术。然而这些改善技术对外形尺寸低于1mm的LED芯片，加工上技术困难度却非常高。

AlGaInP LED芯片的高辉度化技术重点共有3项，分别如下：提高发光层的内部量子效率、提高从从芯片内部取至外部的效率、高效率提供发光层电流的技术。

图6是AlGaInP红光LED的高辉度化技术动向，如图所示LED基板从传统光线吸收基板进化到透明基板，加上业者已经针对LED基板，进行上述三大技术改善，其结果使得LED的辉度3年大约提高2倍，08年全球最高发光效率80lm/W的AlGaInP LED也因而正式商品化。上述高辉度AlGaInP LED的辉度是传统使用吸收基板AlGaInP系LED的10倍，今后可望在液晶背光照明模块车灯、照明、信号灯、植物培育等领域拓展市场规模。

　　结语
以上介绍4元系AlGaInP红光LED芯片高辉度技术与制作方法。发光二极管具备低消费电力与长寿命特征，长久以来它的发展动向一直备受全球高度期待，一般认为未来发光二极管可望成为次世代省能源照明光源。96年日亚化学的中村教授开发蓝光LED芯片，白光要求的R、G、B三种光源总算全步到齐，从此揭开白光半导体发光组件新纪元。