NandFlash系列之二:S3C2410读写Nand Flash分析
三、写操作过程
写操作的过程为: 1、发送写开始指令;2、发送第1个cycle地址;3、发送第2个cycle地址;4、发送第3个cycle地址;5、发送第4个cycle地址;6、写入数据至页末;7、发送写结束指令
下面通过分析写入页的代码,阐述读写过程。
static void WritePage(U32 addr, U8 *buf) //addr表示flash中的第几页,即‘flash地址>>9’
{
U32 i;
NFChipEn(); //使能NandFlash
WrNFCmd(PROGCMD0); //发送写开始指令’0x80’
WrNFAddr(0); //写地址的第1个cycle
WrNFAddr(addr); //写地址的第2个cycle
WrNFAddr(addr>>8); //写地址的第3个cycle
WrNFAddr(addr>>16); 写地址的第4个cycle
WaitNFBusy(); //等待系统不忙
for(i=0; i512; i++)
WrNFDat(buf[i]); //循环写入1页数据
WrNFCmd(PROGCMD1); //发送写结束指令’0x10’
NFChipDs(); //释放NandFlash
}
四、总结
本文以S3C2410处理器和k9f1208系统为例讲述了nand flash的读写过程。在读写过程中没有考虑到坏块问题,有关ecc及坏块处理问题将在下个专题中讲述。
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