TDK5110与TlDA5220的无线温度采集系统
其中，CL表示晶振的负载电容；CSW是FSK开关的对地电容，包括了布线时的分布电容，一般可以3 pF计入；对于13．56 MHz的晶振，R=100 Ω；L=4．6μH。该电路是通过外接的Cv1、Cv2值改变晶振负载电容来实现频率变化的。当FSKDTA=0，开关闭合，Cv2和CSW都被短路，Cv1和L构成等效负载电容；当开关打开时，CSW、Cv2都计入回路，Cv1、CSW、Cv2和L构成等效负载电容。晶振振荡频率与负载电容之间的关系为：
其中：
CL为晶体振荡在中心频率f时所要求的负载电容。
C0、C1为晶振内部等效电容值。
f'=32f，为晶振振荡在中心频率f时的发射频率。
△f为想要实现的距离晶振中心振荡频率的频偏。
当采用TDK5110推荐的NX6035SA晶振时，f=13．568 75 MHz，C0=1．5 pF，C1=5．8 pF，CL=12 pF。
假设为实现“O”的发射△f，计算得到CL0值。但由于芯片内部等效电感的存在，需要修正Cv1值，此时开关闭合，所以修正式子：本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/202512.htm
其中ω0为发射“0”时晶振振荡角频率。
得到：
在晶振f=13．568 75 MHz时，芯片等效电感L=4．6μH，所以计算可得Cv1=10 pF。
同样实现“1”的发射△f，计算得到CL1值为此时晶振回路中Cv2和CSW并联后再与Cv1、L串联后的等效电容值。即
其中ω1为发射“1”时晶振振荡角频率。
计算得到
从中可以看出，在Cv1不变情况下，增大Cv2的取值可以减小表示“1”的发送信号频率；在Cv2不变的情况下，增大Cv1也可以减小发射频率。
本设计采用FSK调制模式，其时序图如图3所示，根据此时序图，发射端单片机选择Atmel公司的AT89C52，用单片机的控制口PO．1、P0．2分别作为发射芯片的FSKDTA和ASKDTA进行数据的调制控制。根据前面计算，设计发射芯片部分电路如图4所示。
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