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高性能电源转换器设计中的同步整流技术

作者:时间:2009-07-31来源:网络收藏


  在中选择具有更强驱动能力的控制器,通过使FET开关所用的时间最短,将能减少开关损耗。然而,更快的上升和下降时间可产生高频噪声,这种噪声可以导致系统噪声和EMI问题。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/181287.htm

  隔离拓扑结构的驱动

  采用隔离拓扑的被用在需要在系统地之间进行隔离的系统中。这样的系统包括分布式总线架构、以太网供电系统和无线基站(图2)。


  在隔离转换器中采用SR可以大大地提高其性能。所有的隔离拓扑,包括正激、反激、推挽、半桥和全桥(电流和电压反馈)都可以进行。然而,在每个拓扑中的SR提供的足够的、适时的栅极驱动信号都有其自身的挑战性。

  针对隔离拓扑的次级FET的驱动方案基本上有两种:自驱动栅极信号直接从次级变压器绕组获得,控制驱动栅极信号从PWM控制器或一些其他初级的基准信号获得。对于一个给定的应用,这些驱动可以有几种不同的实现方法。师应该选择能满足性能要求的最简单的解决方案。

  自驱动方案是最简单、直接的SR驱动方案(图3),适合于那些在任何时间段内变压器电压都不为零的拓扑结构。两个SR FET可替代输出二极管,次级绕组产生的电压驱动SR的栅极。在大多数情况下,利用不同的变压器线圈匝数比(NP∶ NS1∶NS2)和正确选择SR FET,相同的拓扑结构可以获得更高或更低的输出电压。


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