一种全集成型CMOS LDO线性稳压器设计
3 仿真验证
该电路采用SMIC 0．25μm CMOS工艺实现，输入电源电压为2．5 V，输出电压为1．2 V，作为芯片模拟部分的电源。LDO的环路稳定性采用Spectre stb仿真，结果如图5所示，负载电流从1 mA变化到100 mA，整个系统相位裕度均在40°以上，系统稳定。图6为负载电流从1 mA到100 mA转换时，输出电压和输出电流瞬态响应曲线。从图中可以看出，瞬态响应过冲小于20 mV，无振铃现象产生。图6为仿真的电源电压抑制比(PSRR)。低频时PSRR好于75 dB。整个LDO包括基准电压源共消耗静态电流390 μA。
4 结语
本文设计了一种全集成型LDO线性稳压器，采用一种简单的频率补偿电路，通过输出反馈电路引入零点，抵消了LDO产生第二个极点，获得较好的稳定性。此方法结构简单、不损失环路开环增益、带宽高，而且所需要的补偿电容小，节省芯片面积和输出引脚。
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