提高继电器触点抗浪涌能力的一种新颖旁路保护电路
图中：R1、R2、R3、R4、R5为电阻器；
C1、C2为钽电容器；
G1为光耦器件；
VT1为P沟道MOSFET；
K1为继电器触点。
工作原理如下：
在驱动信号接通后，线圈加电，继电器的吸合为机械动作过程，接通时间为5～15ms。
浪涌旁路保护电路与继电器线圈同步接收驱动信号，G1导通前，VT1栅极电压与功率线输入正端电压U1相等，VT1为截止状态。
G1导通后，功率线输入正端电压U1经R2、R3为电容C1充电，C1在充电开始阶段，VT1栅极电压通过公式1计算，忽略光藕器件的导通时间，此时VT1为导通状态。
随C1电压不断上升，VT1栅极电压逐渐升高，当C1充电完成后，VT1栅极电压与功率线输入正端电压U1相等，VT1为截止状态，VT1管导通时间取决于R2、R3及C1参数与VT1管栅极阈值电压，忽略光耦器件的导通时间(通常小于1μs)，导通时间通过公式(2)计算。
式中：UGS(TH)为VT1管开启电压；
C为电容器C1容值；
U1功率线输入正端电压；
t为VT1为导通时间。
通常，继电器驱动信号为脉冲信号，高电平持续时间t1为80ms，在脉冲信号为高电平时，忽略光藕器件的导通时间，VT1立即为导通状态；在脉冲信号为低电平时，忽略光藕器件的截止时间，VT1立即为截止状态。
根据以上分析，得到以下结果：
(1)在脉冲信号为高电平时，VT1立即导通；
(2)若通过公式(2)中计算出t小于驱动信号高电平持续时间t1，则VT1导通时间可通过公式2计算出。
(3)若通过公式(2)中计算出t大于驱动信号高电平持续时间t1，则VT1导通时间等于驱动信号高电平持续时间t1。
4 仿真验证
利用SABER软件，得到R5处电路仿真结果见图3。本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/176494.htm
通过仿真，可以看出，MOSFET管导通时间为80ms左右。
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