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低噪声放大器在手机GPS上的应用

作者:温安民,应用工程师 世强电讯时间:2010-05-04来源:电子产品世界收藏

  Avago 公司致力于接收前端模块

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/108607.htm

  Avago 结合行业领先的CaAs E-pHEMT工艺和FBAR滤波器技术,提供射频前端系列模块,为外加低噪放前端提供了多种选择,详见图1,3,4,5所示,结构有: Filter + + Filter; Filter + ; + Filter; 或单纯的LNA,在规划和设计这些产品时Avago充分考虑了其应用环境,是手机GPS接收设计上的首选。

  CaAs E-pHEMT低噪放的特点

  相比其他材料和工艺,CaAs E-pHEMT的优势主要在于:噪声系数低,是低噪放的首选;低工作电压下线性高,提高接收机动态范围,有利于后续信号的混频和解调;增益高乃是的价值所在。因此,CaAs E-pHEMT正是噪声系数,线性和增益三个低噪放重要指标的完美结合,这是Si材料低噪放很难达到的。

  FBAR 滤波器的特点

  陶瓷滤波能承受较大的功率,温度特性好,但器体积大,Q值不如FBAR的好;

  SAW滤波器承受功率小,温度特差,Q值低,便宜。在一些指标要求不太高的手机上还有应用;

  FBAR滤波器:性能好,体积小,易于集成。随着在手机上双工器,滤波器取代SAW的应用越来越多,其性价比已被大家所认同。

  ALM-1712 GPS接收前端实例

  下图1为Avago的ALM-1712产品,由两个FBAR滤波器和一个LNA组成,三级总的噪声系数为1.65 dB 。RF端ESD >3KV,省去外加ESD保护器件,节省空间和成本。低至1V 工作,可关断功能则满足了手机应用低功耗的要求,可变偏置则提供了在各个性能指标中得到一个理想的平衡。 封装为4.5(L)x2.2(W)x1(H) mm3,外围器件只有8个电阻,电容和电感器件。

  下图2所示为在 Vdd = 2.7V, Idd = 8.0mA偏置下1.575GHz处的增益是12.8 dB; 线性IIP3 = +7 dBm, IP1dB = +3 dBm,对900MHz的带外衰减高达95dBc, 对1800MHz的带外衰减高达90dBc,有力地保证了在恶劣的电子环境下,GPS接收机发挥能良好的功能。ALM-1712很好地满足了手机GPS的特殊要求:电子环境,功耗,体积和成本要求以及设计时间和性能指标,这些对手机厂家的意义不言而喻。

  下面是市场常见的两个型号的主要指标,在低噪放都采用CaAs E-pHEMT工艺的情况下,不难看出FBAR滤波器对PCS频段的抑制比SAW高出21dB( 63 vs. 42)

产品

ALM-1412

RFxxxx

结构

CaAs E-pHEMT + FBAR

CaAs E-pHEMT + SAW

Gain(dB)

13.50 

13.50 

NF(dB)

0.82 

0.85 

IP1dB(dBm)

2.70 

-2.00 

IIP3(dBm)

7.00 

9.00 

Cell Band Rejection (dBc)

54.00 

54.00 

PCS Band Rejection (dBc)

63.00 

42.00 



关键词: GPS 放大器 LNA

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