- 3 仿真分析及具体设计结果3.1 仿真分析在亚微米的ESD结构的设计中，一种常见的具体的ESD瞬态检测电压如图2 VDD-VSS间的电压钳位结构。其原理如下：主要利用结构中的RC延迟作用，一般T=RC被设计为100ns-1000ns之间，而
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VDD-VSSESD CMOS 亚微米 电路
- 1 引言ESD(Electric Static Discharge)保护结构的有效设计是CMOS集成电路可靠性设计的重要任务之一，其ESD结构与工艺技术、特征尺寸密切相关，随着IC工艺技术的进一步发展，特征尺寸越来越小，管子的栅氧层厚度越来越
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VDD-VSSESD CMOS 亚微米 电路
- 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
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RC振荡器 VDD GND
- 1 AB类功放驱动电路设计目标
在实用电路中，往往要求放大电路的末级(即输出级)输出一定的功率，以驱动负载。能够向负载提供足够信号功率的放大电路称为功率放大电路，简称功放。经典功率放大器有4种类型：A类，AB类，B类和C类，他们的主要差别在于偏置的情况不同。理想的4类经典放大器的最大效率的理论值与导通角的函数关系如图1所示。
A类功率放
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AB类功放驱动电路 NMOS VDD 隔直电容
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