- IGBT
是功率器件技术演变的最新产品，是未来功率器件的主流发展方向。IGBT器件(绝缘栅双极型晶体管)是一种MOSFET与双极晶体管复合器件。既有功率MOSFET易于驱动、控制简单、开关频率高的优点。又有功率晶体管的导通电压低、通态电流大、损耗小的优点。基于技术和功能上的优势，IGBT产品可以实现对以往功率器件产品的逐步替代。IGBT产品集合了高频、高压、大电流三大技术优势。IGBT能够实现节能减排，具有很好的环境保护效益。IGBT被公认为是电力电子技术第三次革命最具代表性的产品，是未来应
- 关键字：
半导体 IGBT
- IGBT是功率器件技术演变的最新产品，是未来功率器件的主流发展方向。IGBT器件(绝缘栅双极型晶体管)是一种MOSFET与双极晶体管复合器件。既有功率MOSFET易于驱动、控制简单、开关频率高的优点。又有功率晶体管的导通电压低、通态电流大、损耗小的优点。基于技术和功能上的优势，IGBT产品可以实现对以往功率器件产品的逐步替代。IGBT产品集合了高频、高压、大电流三大技术优势。IGBT能够实现节能减排，具有很好的环境保护效益。IGBT被公认为是电力电子技术第三次革命最具代表性的产品，是未来应用发展的必然
- 关键字：
功率器件 IGBT
- 意法半导体最新的1200V绝缘栅双极晶体管(IGBT,Insulated-Gate Bipolar Transistors)借助第二代沟栅式场截止型高速技术提升太阳能逆变器、电焊机、不间断电源和功率因数校正(PFC, Power-Factor Correction)转换器等应用的能效和耐用性。
意法半导体的新H系列1200V IGBT将关断损耗和导通损耗降低多达15%。饱和电压(Vce(sat))减低至2.1V (在标准集极电流和100°C下的典型值)，这能确保总体损耗降至最低，在20k
- 关键字：
意法半导体 IGBT H系列
- IGBT作为一种大功率的复合器件，存在着过流时可能发生锁定现象而造成损坏的问题。在过流时如采用一般的速度封锁栅极电压，过高的电流变化率会引起过电压，为此需要采用软关断技术，因而掌握好IGBT的驱动和保护特性是十分必要的。
IGBT是电压控制型器件，在它的栅极-发射极间施加十几V的直流电压，只有μA级的漏电流流过，基本上不消耗功率。但IGBT的栅极-发射极间存在着较大的寄生电容(几千至上万pF)，在驱动脉冲电压的上升及下降沿需要提供数A的充放电电流，才能满足开通和关断的动态要求，这使得它的驱
- 关键字：
LED 驱动 IGBT
- 6月20日上午，被业界认为现代变流工业“皇冠上的明珠”的关键 技术在中国南车取得产业化突破：公司投资近15亿元的IGBT产业化基地建成并即将投产。这是国内首条、世界第二条8英寸IGBT专业芯片生产线，首期将实现年产12万片8英寸IGBT芯片，配套生产100万只IGBT模块，真正实现IGBT的国产化。它的投产，将打破国外公司在高端IGBT芯片技术上的垄断。
国家多部委关注IGBT研发
IGBT，是一种实现电能转换和 控制的电力电子器件，中文名叫绝缘栅双极型晶体管。自从
- 关键字：
IGBT 芯片
- 我国南车株洲所8英寸IGBT专业芯片生产线建成，真正实现国产化，打破了国外公司在高端IGBT芯片技术上的垄断......
- 关键字：
IGBT 芯片
- 我国首条8英寸绝缘栅双极型晶体管(IGBT)专业芯片线，6月20日在中国南车株洲电力机车研究所有限公司建成，打破了国外在高端IGBT芯片技术上的垄断，对保障国民经济安全和推动节能减排具有重大战略意义。
与微电子技术中芯片技术一样，IGBT芯片技术是电力电子行业中的“心脏”和“大脑”，控制并提供大功率的电力设备电能变换，有效提升设备的能源利用效率、自动化和智能化水平，主要应用于船舶、高压电网、轨道交通等大功率电力驱动设备中。
IGBT芯
- 关键字：
IGBT 电力电子
- (飞驰于大江南北的和谐号机样同样需要IGBT核心器件。)
(一个8英寸IGBT芯片的“诞生”，至少需要2个月以上、历经200多道工艺、由数6万个“细胞”完成。)
(中国南车株洲所功率半导体器件生产区域。)
(“中国智造”的南车株洲所办公楼。)
红网长沙6月11日讯(记者喻向阳)6月下旬，一个长期被发达国家玩转的“魔方”——8英寸IGBT芯片将在
- 关键字：
IGBT 芯片
- 据Yole Developpement市场调查公司2013年报告，2014年IGBT市场总值将达到43亿美元，比2013年的39亿美元多出40亿美元。而从2011~2018年走势可见，主要驱动力是电动汽车/混合动力(EV/HEV)汽车(如图1)。同时，铁路牵引、可再生能源发电等需要越来越高的可靠性。 可靠性成为功率电力电子器件的关键指标。
IGBT等大功率的电力电子器件通常需要大电流，例如地铁需要8A，新能源汽车需要600A，风能需要1500A及以上。同时电力电子器件的可靠性非常关键，例如机
- 关键字：
IGBT Mentor EV/HEV 201406
- 东芝公司(TOKYO：6502)旗下半导体&存储产品公司(Semiconductor & Storage Products Company)于2014年5月20日宣布其门驱动光电耦合器阵容增添新成员，用于驱动中等功率绝缘栅双极晶体管(IGBT)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这款新的4A输出智能门驱动光电耦合器“TLP5214”采用纤薄的SO16L封装，并具有保护功能，可防止IGBT产生过流状况。这一新产品将于5月底开始量产出货。
&l
- 关键字：
东芝 TLP5214 SO16L IGBT
- 据Yole Developpement市场调查公司2013年报告，2014年IGBT市场总值将达到43亿美元，比2013年的39亿美元多出4亿美元。而从2011年~2018年可见，主要驱动力是电动汽车/混合动力(EV/HEV)汽车(下图草绿色部分)。 可靠性成为功率电力电子器件的关键指标 EV/HEV汽车用IGBT等大功率的电力电子器件不仅对性能指标要求高，目前电流已达600安培左右，同时对可靠性的要求更为严苛，例如汽车应用的期望寿命需要二三十年，需上万次甚至百万次的功率循环要求，而且需要在不同的
- 关键字：
IGBT Mentor MicReD
- 聚焦可靠性 IGBT等大功率的电力电子器件通常需要大电流，例如地铁需要800A，新能源汽车需要600A，风能需要1500A及以上。同时电力电子器件的可靠性非常关键，例如机车牵引的期望寿命超过三十年，功率器件通常需上万次甚至百万次的功率循环要求，对新型IGBT等电力电子器件的可靠性提出了巨大的挑战。 功率循环和热量导致与热相关的器件老化降级，容易导致焊线老化降级，金属层错位，焊接失效，硅芯片和基板的分层等问题。因此需要精密的实验设备对电力电子器件的可靠性进行评估。 传统的功率循环测试和失效分析有诸
- 关键字：
MicReD IGBT 功率循环测试
- 中国已成为全球最大的汽车生产国和消费市场，2013年中国整体汽车销量增长14%至2,200万辆，其中乘用车销售约1,800万辆(份额80%)，商用车约400万辆(份额20%);2014年整体销量可达2,300万辆，乘用车销量较2012年增长16%。汽车大趋势正在推动半导体成分的升高：IHS公司预测，由于汽车安全与导航等系统的不断采用，中国汽车半导体市场将在2014年增长11%，达到46亿美元。而在未来三年会延续增长势头，到2017年，中国汽车芯片市场将达到62亿美元。
面对巨大的需求，半导体厂商
- 关键字：
安森美 汽车半导体 IGBT
- 高铁在技术上的突破确实令人欣慰，但这给老百姓带来的实惠非常有限，其在经济民生方面的意义更像是国家层面的形象工程。
- 关键字：
IGBT 芯片
rc-igbt介绍
您好，目前还没有人创建词条rc-igbt!
欢迎您创建该词条，阐述对rc-igbt的理解，并与今后在此搜索rc-igbt的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
