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1972年1月1日，中国第一块PMOS型LSI电路在四川永川半导体研究所研制成功

　　中国第一块PMOS型LSI电路在四川永川半导体研究所研制成功
关键字： LSI PMOS

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pmos介绍

PMOS是指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管　　全称： positive channel Metal Oxide Semiconductor 　　别名： positive MOS 　　金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类， P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，栅极上加有足够的正电压(源 [ 查看详细 ]