- 光电传感器有NPN型输出型(电流流入)和PNP输出型(电流流出)两种，当电流流出的传感器(PNP输出型)在接通时， 电流是从电源经传感器的输出端(output)流到负载(load)上，进入负载, 然后流到接地端。
而电流流入(NPN输出型)的传感器接通时，电流是从电源经负载流到传感器的输出端(output)，然后流到接地端(GND)，最后进入系统的地(GND)。
PNP与NPN型传感器一般有三条引出线，即电源线VCC、GND，OUT信号输出线;
1、NPN类NPN是指当有信号触发时，
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pnp npn
- 可控硅(晶闸管)原理图
可控硅T在工作过程中，它的阳极A和阴极K与电源和负载连接，组成可控硅的主电路，可控硅的门极G和阴极K与控制可控硅的装置连接，组成可控硅的控制电路。
从可控硅的内部分析工作过程：
可控硅是四层三端器件，它有J1、J2、J3三个PN结图1，可以把它中间的NP分成两部分，构成一个PNP型三极管和一个NPN型三极管的复合管图2
当可控硅承受正向阳极电压时，为使可控硅导铜，必须使承受反向电压的PN结J2失去阻挡作用。图2中每个晶体管的集
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可控硅 NPN
- 一般可以使用在电源的正极串入一个二极管解决，不过，由于二极管有压降，会给电路造成不必要的损耗，尤其是电池供电场合，本来电池电压就3.7V，你就用二极管降了0.6V，使得电池使用时间大减。 MOS管防反接，好处就是压降小，小到几乎可以忽略不计。现在的MOS管可以做到几个毫欧的内阻，假设是6.5毫欧，通过的电流为1A(这个电流已经很大了)，在他上面的压降只有6.5毫伏。 由于MOS管越来越便宜，所以人们逐渐开始使用MOS管防电源反接了。 NMOS管防止电源反接电路：
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MOS管 NMOS
- 大家都知道三极管是电流控制型元件，三极管工作在放大状态下存在Ic=βIb的关系，怎么理解三极管的放大模型呢?这儿我们抛开三极管内部空穴和电子的运动，还是那句话只谈应用不谈原理，希望通过下面的“图解”让初学者对三极管有一个形象的认识。 三极管是一个以b(基极)电流Ib 来驱动流过CE 的电流Ic 的器件，它的工作原理很像一个可控制的阀门。
图1 左边细管子里蓝色的小水流冲动杠杆使大水管的阀门开大，就可允许较大红色的水流通过这
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三极管 NMOS
- 对于NPN或者PNP这个东西在电路里面经常遇到，本文提供一种简单的判断方式。 首先认识一下PNP或者NPN，其主要包括三极管和场效应管 此处不谈放大啥的，只说通短的判断。
先说三极管的通断： 三极管的通断总结一点就是：集电极正向偏置，发射极反向偏置。 说的直白一点，简而言之： 对于P型：c>b>e 对于N型：e>b>c 介绍一种电路的应用：分离元器件实现RS232电平和TTL的电平转换，如图：
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NPN PNP
- PNP与NPN型传感器其实就是利用三极管的饱和和截止，输出两种状态，属于开关型传感器。但输出信号是截然相反的，即高电平和低电平。PNP输出是高电平1，NPN输出的是低电平0。 PNP与NPN型传感器(开关型)分为六类： 1、NPN-NO(常开型)nomal open 2、NPN-NC(常闭型)nomal close 3、NPN-NC+NO(常开、常闭共有型) 4、PNP-NO(常开型) 5、PNP-NC(常闭型) 6、PNP-NC+NO(常开、常闭共有型) PNP与NPN型传感器一般有
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NPN PNP
- 现在踏足到消费类电子，为了保持超高的性价比，在日常设计中经常用分离元器件。比如声音功放，需要一个电压和电流放大，两个三极管几个电阻电容完成。但是后端还需要DSP的处理了。别的不说，现在就分析下三极管设计的前前后后。
我们常见的交流信号放大电路如图所示：
首先要计算出静态工作点：
对于交流信号，我们进行如下分析：假如输入电压引变化 ，则射极电流变化 ，由于 ，那么集电极上变化的电压为
由于C2为“隔直通交”的作用，在基极引入的直流电压被过滤掉，
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NPN 三极管
- 导读：据我所知，大多数人在应用PNP与NPN的时候，都以为这两个是相同的类型。其实，PNP与NPN的区别是有很多的，但是区别到底有哪些呢?接下来就随小编一起学习一下吧~~~
1.npn和pnp的区别--简介
晶体三极管是由形成二个PN结的三部分半导体组成的，其组成形式有PNP型及NPN型。pnp型三极管，是由2块P型半导体中间夹着1块N型半导体所组成的三极管，称为PNP型三极管。npn型三极管，是由2块n型半导体中间夹着1块p型半导体所组成的三极管，称为npn型三极管。我国生产的锗三极管多为P
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npn pnp npn和pnp的区别
- 1. MOS管工作原理--MOS管简介
MOS管，即在集成电路中绝缘性场效应管。MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconductor即金属-氧化物-半导体，确切的说，这个名字描述了集成电路中MOS管的结构，即：在一定结构的半导体器件上，加上二氧化硅和金属，形成栅极。MOS管的source和drain是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能,这样的器件被认为是对称的。
2. MOS管工作原理--Mos管的
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MOS管 工作原理 NMOS MOS管工作原理
- Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出低压1MHz升压型直流-直流转换器PAM2401，旨在满足备用电池、无线电话及全球定位系统接收器等便携式产品对效率愈见严格的要求。这款同步转换器可维持高达95%的工作效率，提供真正的输出断接功能以防漏电，并确保产品在低至1V的输入电压下安全启动。
PAM2401为0.9V到4.75V较低的工作电压输入范围提供1.0A到3.0A的可编程电流限制。为了尽量延长电池寿命，该器件在驱动轻载时自动设定为高效率的脉冲跳跃模式。器件在关闭状态下
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Diodes PAM2401 NMOS
- 不是所有便携式系统都像图1(参见本系列文章的第二部分)所示的系统这么简单。图3给出了可穿戴电子设备的典型方框图。由于存在大量功能块和子系统，设计复杂性进一步提高。
图3：手表的高层次方框图
一个符合逻辑的办法是将整个系统拆分为不同的子系统，并分析各个子系统的功耗。这也有助于简化电源域的设计，从而实现低功耗功能。
显示和触摸控制器部分的功耗主要取决于背光驱动和显示屏本身。大多数设计都针对显示屏采用基于定时器的超时断电模式。一般说来，在固定时间T1后，背光会降
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CPU PMOS NMOS
- 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
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DC/DC转换器 FPGA NMOS 开关稳压器
- 日前，德州仪器 (TI) 宣布推出业界首款 7 通道 NMOS 低侧驱动器，该款驱动器使用插槽兼容型低功耗集成电路 (IC) 取代标准达林顿晶体管阵列。此款 TPL7407L 可将此前驱动大负载电流所需晶体管阵列减少一半，依旧可驱动同级别的负载电流，这为从前需要大量晶体管阵列或电机驱动器的高电压系统提供了一个新的选择。这款最新驱动器不仅可将功耗降低 40%，而且还可高效驱动高电压应用中的 LED 矩阵、继电器或步进电机，适用于大型家用电器、楼宇自动化、照明以及 HVAC 等。如欲了解更多详情或订购样片
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德州仪器 NMOS 达林顿晶体管
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STw4141 转换器 NMOS
npn(nmos)介绍
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