首页　资讯　商机　下载　拆解　高校　招聘　杂志　会展　 EETV　百科　问答　电路图　工程师手册　 Datasheet　 100例　活动中心　 E周刊阅读　样片申请

nor闪存文章进入nor闪存技术社区

Spansion发布NOR闪存解决方案

Spansion发布了其为新兴市场设计的NOR VS系列闪存解决方案。该系列旨在使手机OEM厂商能够提供简化的、高性能的入门级手机，满足中国、印度、俄罗斯等手机用户数量迅速增长地区的需求。典型的针对新兴市场的入门级手机包括从基本的、仅有语音功能的机型到带有低相素摄像头及2D游戏的彩屏手机。Spansion® NOR VS系列的容量从16Mb到64Mb，裸片尺寸的减小高达30%，从而使手机OEM厂商能够开发出比早期产品更具成本效率、性能更高的解决方案。 NOR&nbs
关键字：消费电子 Spansion NOR闪存消费电子

ST推出裸片最小的1-Gbit和512-Mbit 65nm多电平单元NOR闪存

　　ST推出了一个采用65nm制造工艺的PR系列NOR闪存产品。基于第四代多电平单元(MLC)技术，65nm PR系列闪存的软硬件兼容现有的90nm PR系列NOR闪存，为客户升级现有系统提供了一条捷径，同时还提高了存储密度和产品性能。　　为满足移动应用市场对高分辨相机、多媒体内容和快速联网的需求，新的65nm PR系列闪存的突发读取速度达到133MHz，编程速度达到1.0-MB/s，支持深关断睡眠模式，采用1.8V电源电压。这个先进的NOR闪存系列产品与LPSDRAM、L
关键字： 65nm NOR闪存 ST 单片机多电平单元裸片最小的1-Gbit和512-Mbit 嵌入式系统

共32条 3/3 « 1 2 3

nor闪存介绍

flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是 [ 查看详细 ]

nor闪存 文章 进入nor闪存技术社区

Spansion发布NOR闪存解决方案

ST推出裸片最小的1-Gbit和512-Mbit 65nm多电平单元NOR闪存

nor闪存介绍

热门主题

nor闪存文章进入nor闪存技术社区