- 据LED设备厂透露，韩国两大电子集团的LED大扩厂计划喊停，原订韩国有机金属化学汽相沉积(MOCVD)机台的数量，从600台大降到150台，此举可望化解LED产能过剩疑虑。
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LED背光 MOCVD
- 欧洲微电子研究中心(Interuniversity Microelectronics Centre。即IMEC)与其合作伙伴共同开发了在200毫米硅芯片上生长GaN/AlGaN的技术。
借助这项新技术，GaN MISHEMTs( metal-insulator semiconductor high-electron mobility transistors，无金属高电子迁移率晶体管)能够严格按照CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，
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硅芯片 MOCVD
- 据DIGITIMES Research，中国十二五规划着重LED上游发展，特别是芯片制造，更是政府补助及厂商投资的重点。
以江苏省扬州市政府为例，提供每台蓝光MOCVD机台人民币1,000万元(约154万美元)的现金补助，吸引许多芯片厂商前来设厂，包括真明丽、乾照光电、德豪润达、中科半导体等主要大陆芯片厂。而江苏省除扬州市外，南通及张家港也均有厂商投资建设LED芯片厂房，形成生产LED芯片的主要省分。
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LED芯片 MOCVD
- 5月26日，AIXTRON宣布其第2000台MOCVD已经安装完成。第2000台MOCVD由厦门乾照购买。双方的合作源自2006年2月。此批设备为60x2英寸 AIX 2800G4-R系统，由当地工作人员安装调试。厦门乾照是AIX 2800G4的首家用户，2010年乾照的厦门工厂和扬州分厂完成安装多台AIXTRON G3、G4 MOCVD系统。
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AIXTRON MOCVD
- 从2010年开始，中国购买MOCVD的数量急速增长。2009年全球出货228台，其中中国大陆仅占12%，韩国42%，台湾地区35%;2010年全球出货增至800台，中国大陆上升至32%，韩国和台湾地区分别为33%和26%，据Veeco估计，2011年MOCVD出货量为850-1100台，中国大陆将占据60%份额，韩国进一步下降至10%，台湾地区23%。全球2011-2015出货量为4000-7000台。
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MOCVD LED
- 近日，Veeco全球首席执行官JohnR.PeELer向高工led记者透露，2011年全球MOCVD设备出货量将在850台至1100台之间，预计中国市场将占据60%的出货量。
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MOCVD LED
- 今年7月，扬州市将停止对LED外延片生产用MOCVD设备的购置补助资金。这对当地的LED生产企业来说，无疑是一个利空消息，因为一台设备最高1000万元补贴的好日子马上要到头了。
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LED MOCVD
- 根据The Information Network基于降低生产成本的市场观察和分析，LED市场将会出现爆炸式的增长。2011年的芯片出货量将比2010年增长40%以上;而到了2013年，LED的芯片出货量将达到2010年的两倍。
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LED芯片 MOCVD
- 根据The Information Network基于降低生产成本的市场观察和分析， LED市场将会出现爆炸式的增长。2011年的芯片出货量将比2010年增长40%以上;而到了2013年，LED的芯片出货量将达到2010年的两倍。
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LED MOCVD
- 据报道，中国大陆2009年LED产业投资升温，投资计划金额为人民币220亿元，2010年上市公司的计划投资额为人民币300亿元。尽管投资持续畅旺，但是国内LED企业仍集中在中下游，获利最为丰厚的高端LED芯片产品。
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LED MOCVD
- 为因应持续增长的市场需求，发光二极体(LED)的制造商正积极扩充新的产能，连带使得LED的关键制程设备──有机化学气相沉积法(MOCVD)机台出货量不断攀升。市场研究机构IMS的Reseach指出，尽管2010年下半年的LED市场需求减弱，但第三、四季氮化镓(氮化镓)金属有机化学气相沉积机台的出货数目仍分别创下230与232台的新纪录。预估在中国大陆的LED厂不断加码扩产的驱动下，2011年金属有机化学气相沉积机台总出货量可望突破一千台大关。
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LED MOCVD
- 美国应用材料公司(AppliedMaterials)计划改进LED制造工艺研究项目，通过改进生产设备、改善制造工艺，尤其是MOCVD的研制，实现降低生产成本40%的目标。
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应用材料 MOCVD
- 据台湾媒体消息，根据DIGITIMES统计，2010年全球MOCVD机台需求量为800台，较2009年大幅成长277%,DIGITIMES Research分析师兼项目经理林芬卉分析，该年度成长主要来自南韩、台湾、大陆地区贡献。
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Rubicon MOCVD
- 据了解，蒙西LED光电产业集群区将计划于4月18日在鄂尔多斯新能源产业示范区新兴产业园区举行奠基庆典。按照此前的项目环评公示，其中LED外延、芯片项目建设年限为2011-2013年，项目建设规模为年产3英寸GaN-LED外延片720万片。
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华延芯光 MOCVD
- 据台湾相关业内人士指出，虽然中国大陆厂商近期大量申请MOCVD机台，不过受到LED人才、技术等方面缺乏影响，实际投入量产数量仅1/3，加上目前MOCVD机台出货前置期约需3-6个月，而良率调整、进入量产约需3个月，总计约需要6-9个月后新增产能才能发挥效用，因此不致于造成今年LED市场供过于求状况。
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LED MOCVD
mocvd介绍
MOCVD
MOCVD是金属有机化合物化学气相淀积(Metal-organic Chemical Vapor DePosition)的英文缩写。MOCVD是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术.它以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体 [
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