全球功率半导体和管理方案领导厂商——国际整流器公司 (International R
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LED 驱动 IR IC
本文提出的是一种基于平面型EBG (Electromagnetic Bandgap)结构的创新型结构,对于同步开关噪声(Simultaneous Switching Noise, SSN)的抑制有更优秀的特性。我们设计的这款新型EBG结构,是在周期性L-bridge EBG结构的基础上,在一些单元内插小型的L-bridge EBG。通过仿真验证,此结构具有传统型L-bridge EBG结构所不具有的超带宽抑制能力和较大的抑制深度。然后我们运用电路模型和平行板谐振腔原理分析了该结构上下变频。另外,通过3-D
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EBG SSN 电源完整性 IR-Drop 201607
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 近日针对锂离子电池保护应用推出配备IR最新低压MOSFET硅技术的一系列器件,包括IRL6297SD双N通道DirectFET MOSFET。
全新功率MOSFET具有极低的导通电阻,可大幅减少导通损耗。产品可作为N通道及P通道配置的20V和30V器件,最高栅极驱动从12 Vgs起,非常适合包含了两个串联电池的电池保护电路。IRL6297SD
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IR MOSFET IRL6297SD
半导体与电子元器件业顶尖工程设计资源与全球授权分销商贸泽电子(Mouser Electronics)日前宣布赞助在西安举办的2014福创西部电子论坛(Fortronic),并在电源管理技术研讨会和无线技术与物联网应用研讨会上就Mouser的在线增值工具和即将发布的MultiSIM BLUE展开了精彩的主题演讲和互动。
作为欧洲最富盛名的技术论坛,福创西部论坛保持了欧洲的有效模式和服务质量,旨在帮助西部研发工程师提高设计效率,助推西部产业升级,是电子元器件供应商、分销商、设计服务公司和电子制造商交
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贸泽电子 MultiSIM BLUE Fortronic
半导体与电子元器件业顶尖工程设计资源与全球授权分销商贸泽电子(Mouser Electronics)日前宣布,将于本月与美国国家仪器(NI)合作推出Mouser版PCB设计工具MultiSIM BLUE。该设计工具目前支持中、英、德三种语言。
全新版本的PCB设计工具采用Berkeley SPICE引擎,初始元件库可提供10万多款Mouser数据库中最常见元器件,实时BOM报价和元器件供应信息使设计创作更为高效。MultiSIM BLUE支持布局前设计收敛分析、间距低至0.8mm的1000+引脚
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贸泽电子 NI MultiSIM BLUE
D类音频放大器可以在90%左右的效率水平下运行,让设计者能够利用小型散热器或者无需散热器即可提供极高的音频输出。它已逐渐成为高端家用A/V设备以及移动设备的首选拓扑,能够帮助设计者实现高性能与小尺寸组合,而这正是全世界用户所期望和需要的。
现在,高集成度D类放大器件,包括单个封装内的整个放大器模块的出现让企业能够更快地将价格极具竞争力的新产品推向市场,并且其音频性能达到或者超过了传统的模拟放大器。因此,D类音频放大器近十年来市场突飞猛进,年复合增长率远远高于应用特殊型音频器件。
D
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IR D类放大器
贸泽电子 (Mouser Electronics) 宣布即将发布 Mouser 版 NI Multisim 元件评估板 MultiSIM BLUE。与 NI 携手推出的 Mouser 版全新免费工具增添了一些特性与功能,借助 Mouser Electronics 分销的元件为工程师提供业界标准的电子电路 SPICE 仿真环境。请访问 http://www.mouser.com/MultiSimBlue 以了解此新款工具。
即将推出的Mouser 版 MultiSIM BLUE内含数十万款电子元件
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Mouser National Instruments MultiSIM BLUE
全球功率半导体和管理方案领导厂商——国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR)推出汽车级COOLiRFET功率MOSFET AUIRFN8403,适合需要极小占位面积和大电流性能的汽车应用,包括泵电机控制和车身控制等。 使用紧凑5x6mm PQFN封装的AUIRFN8403,是IR运用该公司最先进的COOLiRFET 40V沟道技术的全新器件系列的首款产品,具有3.3 mΩ超低导通电阻和95A大电流承载能力。PQFN封装具有加长管脚,管脚的端口通过电镀进行焊接,从而
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IR MOSFET COOLiRFET
球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出大罐式DirectFET MOSFET系列,适用于要求极低导通电阻 (RDS(on)) 的工业应用,包括大功率直流电机,直流/交流逆变器,以及动态ORing热插拔和电熔丝等大电流开关应用。
全新7mm x 9mm x 0.7mm大罐式封装器件提供卓越的导通电阻性能,从而实现较低的导通损耗和更理想的系统效率。这款大罐式产品与中罐式和小罐式DirectFET器件相似,具备
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IR MOSFET DirectFET
国际整流器(IR)推出第二代(Gen2)IRAM系统级封装(System-In-Package,SIP)节能智慧型功率模组(IntelligentPowerModule)系列,有效缩小及简化空调、风扇、压缩机和洗衣机等家电马达驱动应用的设计。
IR亚太区销售副总裁潘大伟表示,要超越IR上一代IRAM产品所建立的行业标准基准并非易事,全新IRAMGen2平台能够利用下一代IRAM系统级封装智慧型功率模组的先进技术,通过改善热效能及减少电磁杂讯,以满足市场对更高效家电应用马达驱动器与日俱增的需求
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IR 驱动器设计
国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 近日推出60V器件以扩充StrongIRFET MOSFET系列,适合多种工业应用,包括电动工具、轻型电动车逆变器、直流电机驱动器、锂离子电池组保护及开关模式电源二次侧同步整流等。 全新60V StrongIRFET功率MOSFET系列具有可提升低频应用性能的超低导通电阻 (RDS(on))、极高的电流承载能力、软体二极管,以及有助于提高噪声免疫力的3V典型临界
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IR StrongIRFET MOSFET
全球功率半导体和管理方案领导厂商 - 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR)推出全新D类音频芯片组,内含IRS20965数字音频驱动器IC,可提供受保护的脉冲宽度调制 (PWM) 开关和完整的音频MOSFET ,旨在为高性能D类音频放大器产品作出优化。 IRS20965具有高侧和低侧独立浮动脉冲宽度调制输入,能够从外部的脉冲宽度调制控制器进行死区时间控制。新I
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IR PWM IRS20965 音频
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司扩充StrongIRFET系列,为高性能运算和通信等应用提供20V至30V的器件。IR L6283M 20V DirectFET是该系列的重点器件,具有极低的导通电阻 (RDS(on))。 IRL6283M采用超薄的30 mm2中罐式DirectFET封装,导通电阻典型值只有500µΩ,可大幅降低传导损耗,因而非常适合动态ORing和电子保险丝 (eFuse)
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IR StrongIRFET IRL6283M
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出新一代电源管理总线 (PMBus) 驱动的多功能CHiL数字脉冲宽度调制 (PWM) 控制器,和集成式PowIRstage解决方案,可在多种中端到高端服务器、桌面和运算应用内大幅提升效率、缩减电路板空间及减少部件数量。 IR全新的数字控制器符合Intel VR12和VR12.5的规格
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IR PMBus CHiL PWM
福禄克公司旗下Raytek®品牌, 红外(IR)测温技术的世界领先供应商,已对其用于水泥窑的CS210过程成像系统的功能进行了扩展,增加了可选的可集成至系统软件的3D视图和耐火材料管理数据库模块。这种增强的窑体扫描系统通过持续监测回转窑来探测耐火材料损失、损坏和损耗导致的热点,从而使得水泥制造商可以避免代价高昂的窑体损坏和意外停工。 利用现已支持多达4台扫描仪的CS210红外线(IR)扫描解决方案,水泥厂经营者可确定回转窑耐热材料的有效性,检测失效的耐火砖,从而采取相应的措施,防止更大的损
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福禄克 IR CS
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