发展电力电子产业的首要意义在于节约电能，因此，高效率是我们对电力电子器件的基本要求。新型电力电子器件IGBT(绝缘栅双极型功率管)已在工业控制、消费电子、汽车电子等多个领域充当了节能的“急先锋”，而在新能源领域，电力电子器件也是不可或缺的元素。
电力电子器件在其发展的初期(上世纪60年代-80年代)主要应用于工业和电力系统。而近20年来，随着4C产业(通信、计算机、消费电子、汽车)的蓬勃发展，电力电子器件的应用范围有了大幅度的扩展，其技术已成为航空、航天、火车、汽车、通信
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电力电子 IGBT 新能源 节能
改善洗衣机、电冰箱以及空调等家用电器能源使用效率的需求正在增加。从传统的固定转速马达转换到变速马达可以节省能耗30%之多。但这种设计的难度较大，虽已经出现了几种方案来降低此类项目的数字设计工作难度，但是设计人员仍需要集成模块和相关的设计工具来促进功率级的设计。
为了使低成本变速马达控制器成为可能，元器件供应商设法通过简化设计和降低结构复杂度来减少变速控制器的成本。例如，已经出现了几种数字信号控制平台，它们结合了DSP和集成PWM和马达控制外围设备的RISC处理器。这些平台可运行第三方或者自行开发
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电动机 IPM DSP PWM 马达
Zetex Semiconductors (捷特科) 推出全新ZXGD3000双极栅极驱动器系列，用于开关电源和电机驱动器中的MOSFET及IGBT。低成本的ZXGD3000系列能灌入高达9A的电流，栅极电容的充、放电速度比栅极驱动器IC更快，有助于加快开关时间，提高电路效率。
该系列包含4款高速非反向栅极驱动器，电源电压范围为12V至40V。其快速开关射极跟随器配置，实现了小于2ns的传播延迟和大约10ns的上升/下降时间，有效改善了对MOSFET开关性能的控制。ZXGD3000还能防止锁定，
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Zetex ZXGD3000 MOSFET IGBT
PSHI 3系列IGBT驱动器是基于具有自主知识产权的ASIC而设计的智能型1700V双路IGBT驱动器，包括逻辑信号处理的ASIC PSD001，门极驱动的ASIC PSD002。集成了电平选择、逻辑信号处理、故障锁存及处理、短路保护、欠压保护、互锁、电气隔离、DC/DC隔离电源等，工作温度范围为－45℃~＋85℃，其中:
PSHI 302适用于200A以下的IGBT驱动；
PSHI 332适用于150A-800A的IGBT驱动；
PSHI 362适用于400A-1200A的IGBT。
驱动
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普尔盛 IGBT 驱动器
介绍了智能模块IPM的原理及其在双PWM变频调速系统中的应用，详细介绍了IPM的引脚功能及其在系统中的驱动和电源设计，给出了原理图及接线图，并提出设计中各种注意事项。
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IPM 双PWM变频调速系统 引脚
除了功率模块以外，每个电力电子系统都还有另外一个关键部件就是IGBT驱动电路，它们是功率晶体管和控制器之间非常重要的接口电路。因此，选择适当的驱动电路就和逆变器整体方案的可靠性紧密相关。与此同时，驱动电路还应该具备最广泛的系统适应性和用户接口友好性。
例如，在一个电力电子逆变器中，微控制器提供系统正确运行所需要的数字信号。IGBT驱动电路的功能就是将来自于微控制器的信号转换成具有足够功率的驱动信号，来保证IGBT安全地关断与开通。另一方面，IGBT驱动电路为微控制器和功率晶体管之间的电压提供电气
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IGBT SKYPER
分析了三电平逆变器系统中IGBT驱动电路的主要干扰源及耦合途径，在此基础上对lGBT驱动电路EMC设计的一些问题进行了研究，重点讨论了光纤传输信号、辅助电源设计、瞬态噪声抑制以及PCB的抗干扰设计等问题，并给出了设计方案。
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电磁兼容 研究 电路 驱动 逆变器 IGBT 电平
三菱电机将携同最新推出的第四代DIP-IPM（双列直插型智能功率模块），在3月18至20日于上海新国际博览中心举行之2008慕尼黑上海电子展（展位5102）上，为参观者带来现今世界上最领先的变频家电节能技术。
三菱电机作为业界的先驱，早在1997年就开发了用于白色家电和工业用电机的变频驱动的DIP-IPM。2004年以来，DIP-IPM模块的开发致力于小型化、低热阻化以及完全无铅化，并已开发出第四代DIP-IPM产品。如今，为提高DIP-IPM的性价比，增加了新开发的搭载RC-IGBT硅片的额定电流为3
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三菱 DIP-IPM 功率模块 电源 200802
三菱电机将携同多种系列的第五代IGBT模块，在3月18至20日于上海新国际博览中心举行之2008慕尼黑上海电子展（展位5102）上，为不同领域的客户提供与其相应的应用解决方案。
三菱电机采用最新开发的载流子存储式沟槽型双极晶体管（Carrier Stored Trench-gate Bipolar Transistor，CSTBTTM）功率硅片，实现了第五代IGBT模块的产品化，其具有低损耗、低饱和压降、高功率循环和寿命长等优点。分别针对不同应用开发了A、 NF、 NFM、NFH和NX系
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三菱 IGBT 电子展 200802
上世纪60年代，开关电源的问世，使其逐步取代了线性稳压电源和SCR相控电源。40多年来，开关电源技术有了飞迅发展和变化，经历了功率半导体器件、高频化和软开关技术、开关电源系统的集成技术三个发展阶段。
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开关电源，IGBT 碳化硅 AC/DC
l 前言
绝缘栅场效应晶体管(IGBT)作为一种复合型器件，集成了MOSFET的电压驱动和高开关频率及功率管低损耗、大功率的特点，在电机控制、开关电源、变流装置及许多要求快速、低损耗的领域中有着广泛的应用。本文对应用于有源电力滤波器的IGBT的特性及其专有EXB84l型驱动器的设计进行讨论，并提出一种具有完善保护功能的驱动电路。
有源电力滤波器设计中应用4个IGBT作为开关，并用4个EXB84l组成驱动电路，其原理如图l所示。在实验中，根据补偿电流与指令电流的关系，用数字信号处理器(DSP
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IGBT MOSFET 场效应晶体管 电源
将IGBT用于变换器时，应采取保护措施以防损坏器件，常用的保护措施有：
（1） 通过检出的过电流信号切断门极控制信号，实现过电流保护；
（2） 利用缓冲电路抑制过电压并限制du/dt；
（3） 利用温度传感器检测IGBT的壳温，当超过允许温度时主电路跳闸，实现过热保护。
下面着重讨论因短路而产生的过电流及其保护措施。
前已述及，IGBT由于寄生晶闸管的影响，当流过IGBT的电流过大时，会产生不可控的擎住效应。实际应用中应使IGBT的漏极电流不超过额定电流，以避免出现擎住现
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IGBT 半导体材料
一、IGBT的工作原理
电力MOSFET器件是单极型（N沟道MOSFET中仅电子导电、P沟道MOSFET中仅空穴导电）、电压控制型开关器件；因此其通、断驱动控制功率很小，开关速度快；但通态降压大，难于制成高压大电流开关器件。电力三极晶体管是双极型（其中，电子、空穴两种多数载流子都参与导电）、电流控制型开关器件；因此其通-断控制驱动功率大，开关速度不够快；但通态压降低，可制成较高电压和较大电流的开关器件。为了兼有这两种器件的优点，弃其缺点，20世纪80年代中期出现了将它们的通、断机制相结合的新一代半导
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IGBT 半导体材料
引言
IGBT常用的驱动模块有TLP250，以及EXB841/840系列的驱动模块。但在燃料电池城市客车DC/DC变换器的研制过程中发现，由于车载DC/DC变换器常常工作在大功率或超大功率的状态中，而处在这种状态下的IGBT瞬时驱动电流大，要求可靠性要高，使得传统的驱动电路已经不能满足其使用要求，经过研究分析，选用瑞士CONCEPT公司生产的用于驱动和保护IGBT或功率MOSFET的专用集成驱动模块2SD315A作为大功率IGBT(800A/1200V)的驱动器件，该驱动器集成了智能驱动、自检、
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模拟技术 电源技术 IGBT 2SD315A 模拟IC 电源
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