1 引言
随着硅片直径的不断增大和图形线宽的急剧缩小,IC加工工艺对硅片的平整度要求越来越高。化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing,CMP)是目前满足硅片图形加工性能和速度要求的最有效加工方法。国内在大直径硅片加工设备方面的研究几乎仍是空白,对于大直径(≥300 mm)硅片的超精密加工技术与设备的研究甚少。结合目前对于高抛光生产率的要求,进行多工位抛光机的开发势在必行。图1所示为自行研制的三工位CMP机床的平面示意图。该三工位直线轨道式抛光机具有如下特点:
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CMP
面向全球半导体行业的化学机械研磨(CMP)技术领导和创新者罗门哈斯电子材料公司(Rohm and Haas Electronic Materials)(NYSE:ROH)研磨技术(CMP
Technologies)事业部今天宣布在台湾新竹开设新的亚洲技术中心(Asia Technical Center,简称ATC)。该中心将有助于研磨技术事业部(CMP Technologies)更加密切地与亚洲地区的客户合作,帮助其优化先进的化学机械研磨(CMP)工艺和耗材套件,同时还为整个亚太地区提供工程和技术支
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半导体 罗门哈斯 CMP
半导体产业世界领先企业意法半导体(纽约证券交易所代码:STM)和世界知名的IC中介服务公司CMP(Circuits Multi Projects®)宣布两家公司开始为中国高等院校的学术研究项目提供意法半导体最先进的CMOS制造技术。
截至目前,欧美已有上百所大学采用意法半导体的65纳米体效应互补金属氧化物(CMOS)半导体技术的设计规则和工具,并发展出数百项采用不同技术的集成电路设计。ST和CMP已落实在中国实施这项计划所需的基础设施,以便延续这个合作项目在欧美学术界所取得的成功,让中国
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意法半导体 ST CMP CMOS IC
为进一步加强和中国教育以及自主研发区域的联系,半导体制造商STMicroelectronics和CMP(Circuits Multi Projects)宣布,今天他们将授权中国的大学,可以使用意法半导体的45纳米互补金属氧化物半导体(CMOS)制造工艺进行原型设计,以作学术教学和科学研究之用。
公司方面称,这种模式在欧洲和北美的大学已经取得了巨大的成功。现在也已经有超过100所大学拿到了65-nm CMOS的基本制程和设计方案。
而对于中国的研究组织和机构来说,这种模式结构可以说是为其提供
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ST CMP 半导体 CMOS
意法半导体和CMP (Circuits Multi Projects ®) 宣布,通过CMP提供的硅中介服务,大学、科研院所和公司可以使用意法半导体的45纳米互补金属氧化物半导体(CMOS)制造工艺进行原型设计。这项消息在巴黎举行的CMP用户年会上发布,会中集结了采用CMP多项目晶片服务的大学院校、科研机构或私营企业的代表。通过CMP的服务,他们可以委托芯片厂商小批量制造几十个到几千个的先进集成电路。
45纳米CMOS工艺的推出,是延续ST与CMP授权大学使用上一代65纳米和90纳米CM
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意法半导体 CMP CMOS 200802
罗门哈斯电子材料CMP科技日前为其位于新竹科技园区和竹南科技园区的“亚太制造和技术中心”举行破土动工仪式。该中心预期在2007年第一季度之前投入商业运转。 罗门哈斯电子材料大多数业务都在亚洲,台湾是其下一代IC1000 TM研磨垫的生产基地和高级应用实验室、销售以及客户支持中心。该中心占地6英亩,耗资5000万美元用于建设4500平米生产下一代CMP产品的工厂和2000平米的技术中心以及3000平米的办公场所。应用实验室包括用于研磨垫和浆料分析的标准设备和一个300至500平方米用于CMP研磨、
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CMP 科技亚太 罗门哈斯
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