1,TTL电平(什么是TTL电平): 输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。在室温下,一般输出高电平是3.5V,输出低电平是0.2V。最小输入高电平和低电平:输入高电平>=2.0V,输入低电平<=0.8V,噪声容限是0.4V。
2,CMOS电平: 1逻辑电平电压接近于电源电压,0逻辑电平接近于0V。而且具有很宽的噪声容限。
3,电平转换电路: 因为TTL和COMS的高低电平
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TTL CMOS 电平 嵌入式系统 单片机 嵌入式
本设计实例提供了一种可作为微控制器替代品的简单、廉价及便携式设备电路,来为音频电路设计与调试提供各种低失真正弦波信号源。尽管从直接数字合成器 (dds) 产生的正弦波具有更高的稳定性及更少的谐波成分和其他寄生频率成分,但这是一种能让设计人员采用凌特科技公司ltspice 免费件并磨砺其电路仿真技能的更具“颠覆性”的方法。振荡器包括一个频率测定网络以及一种用于防止电路饱和、波形削波及谐波产生的振荡幅度限制方法。许多音频振荡器设计均采用经典维氏电桥带通滤波器拓扑,并将白炽灯、热敏电阻器或jfet 电路作为
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正弦波 CMOS 数字合成器 放大器
集电极开路门,即OC门,是一种能够实现线逻辑的电路。OC与非门电路的特点是将原TTL与非门电路中的VT3管(见图1)集电极开路,并取消集成电极电阻。所以,使用OC门时,为保证电路正常工作,必须外接一只RL电阻与电源VCC相连,称为上拉电阻,如图2(a)所示。
图1 典型的TTL中速与非门电路
图2 集电极开路门电路
两个OC门电路并联在一起,可以完成“线与”逻辑功能,如图2(b)所示。由图知:输出F与输入A、B、C、D之间的逻辑关系为:
&n
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TTL 逻辑电路
若只用“与非”门实现函数,则需要图1(a)所示的逻辑图。该方法所用门的个数较多,级数也多。故可用增加“或”扩展器的方法来实现。“或”扩展器的具体电路如图1(b)所示。
图1 逻辑图及“或”扩展器电路 图2 4,3,2,2“与或非”门逻辑符号
使用时,将图1(b)输出端c、e分别和“与非”门VT2(如图3所示)管的集电极和发
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TTL 扩展器 逻辑电路
在实际使用中,有时会遇到“与非”门的输入端个数少于输入变量个数的情况。此时可找多输入端的“与非门”来实现。如没有,则可通过在“与非”门上加“与”扩展器的方法来解决,“与”扩展器的电路很简单,是一只多发射极的三极管,如图1所示。
使用时,只需将图1中多发射极管的基极b与集电极c和“与非”门的VT1管(如图2中所示)的基极和集电极并联相接,就相当于增加了“与非”门的输入端,当然这个“与非门”必须是能带“与”扩展器的“与非门”,也就是有VT1管基极和集电极的相应引出线。在有些产品手册上也标明某种“与非
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TTL 扩展器 逻辑电路
CMOS问世比TTL较晚,但发展较快,大有后来者居上、赶超并取代之势。
1.组成结构
CMOS电路是互补型金属氧化物半导体电路的英文字头缩写。它由绝缘场效应晶体管组成。由于只有一种载流子,因而是一种单极型晶体管集成电路。其基本结构是一个N沟道MOS管和一个P沟道MOS管,如图1所示。由于两管栅极工作电压极性相反,故将两管栅极相连作为输入端,两个漏极相连作为输出端,如图1(a)所示,则两管正好互为负载,处于互补工作状态。
图1 CMOS电路基本结构示意图
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CMOS 逻辑门电路 逻辑电路
1.组成结构
TTL电路是晶体管-晶体管逻辑电路的英文字头缩写。它由NPN或PNP型晶体管组成,图1是典型的TTL中速与非门电路。由于电路中载流子有电子和空穴两种极性,因而是一种双极型晶体管集成电路。
图1 典型的TTL中速与非门电路
TTL电路有好几种,其中速度最高的是STTL,即肖特基TTL电路,其平均传输时间约3ns,比标准型TTL约快6~7倍;功耗最低的是LSTTL,其功耗不到标准型TTL的十分之一。TTL电路与其他双极型电路相比,在性能、价格上可谓物美价廉,已基本上取代了RTL
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TTL 逻辑门电路 逻辑电路
赛普拉斯宣布其OSCAR定制CMOS图像传感器被整合至ARRI公司的ARRIFLEX D-20数字电影摄像机和ARRISCAN胶片扫描仪之中。这款600万像素的传感器与Super 35毫米胶片光圈的尺寸相同,这使得D-20摄像机在拍摄高清(HD)图像时,能使用与35毫米胶片摄像机相同的定焦、变焦和特制镜头。最终的数字图像与35毫米胶片的景深相同,同时允许电影制作人能将观众的注意力引导至画面的特定部分,这种功能是一种极具创意价值的讲述故事的手段。
OSCAR CMOS图像传感器赋予D-20摄像机以
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赛普拉斯 图像传感器 CMOS 音视频技术
定制图像器材成为ARRI公司ARRIFLEX D-20数字电影摄像机和ARRISCAN胶片扫描仪的核心 2007年12月26日,北京讯,—赛普拉斯半导体公司(纽交所代码CY)于近日宣布其OSCAR定制CMOS图像传感器被整合至ARRI公司的ARRIFLEX D-20数字电影摄像机和ARRISCAN胶片扫描仪之中。这款600万像素的传感器与Super 35毫米胶片光圈的尺寸相同,这使得D-20摄像机在拍摄高清(HD)图像时,能使用与35毫米胶片摄像机相同的定焦、变焦和特制镜头。
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赛普拉斯 CMOS 图像传感器 视频 传感器
近年来,软件无线电(Software Radio)的技术受到广泛的关注。理想的软件无线电台要求对天线接收的模拟信号经过放大后直接采样,但是由于通常射频频率(GHz频段)过高,技术上所限难以实现,而多采用中频采样的方法。而对于百兆赫兹的射频段,可以直接射频带通采样,这就要求采样系统有高的分辨率,而且其Nyquist频率要求比较高。本文设计的用于软件无线电台12 b A/D转换器中的高精度,高速运算放大器,采用了增益提高电路,在不影响频率响应的同时,得到普通运放所达不到的高增益。
1 高精度,高速度
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模拟技术 电源技术 软件无线电 CMOS 放大器 放大器
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 扩大了 RS422/RS485 收发器产品系列,推出为高温应用设计的“H 级”器件。LTC285xH 系列器件具有 -40oC 至 125oC 的扩展工作温度范围以及这些应用传统上所需的属性。这些新温度级器件拓宽了凌力尔特公司业界标准低功率 CMOS 收发器产品线,有助于在汽车应用中常见的严酷环境条件下确保可靠数据传输。
凌力尔特公司的 LTC285xH 系列收发器有多种选择。精选版本具有转换率限制,同时其它版本具有接
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模拟技术 电源技术 凌力尔特 RS422 CMOS
意法半导体宣布该公司成功地制造出了第一批采用CMOS 45nm 射频 (RF)制造技术的功能芯片。这项先端技术对于下一代无线局域网(WLAN)应用产品至关重要。
这些系统级芯片(SoC)是在ST的法国Crolles 300mm 晶圆生产线制造的,原型产品集成了从初级RF信号检测到下一步信号处理需要的数字数据输出的全部功能链。这些原型芯片具有最先进的性能和最高的密度(低噪放大器、混频器、模数转换器和滤波器都工作在1.1V下,整个电路仅占用0.45mm2)。
ST的半导体成就归功于公司开发CM
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嵌入式系统 单片机 意法半导体 45nm CMOS EDA IC设计
2007年12月10日,意法半导体宣布成功地推出第一批采用CMOS45nm射频制造技术的功能芯片。
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ST CMOS 45nm 射频
讨论了集成电路设计中多晶硅条电阻、MOS管电阻和电容电阻等3种电阻器的实现方法,论述了他们各自的优点、缺点及其不同的作用
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CMOS 集成电路设计 电阻 设计方法
本文设计了一个基于数字CMOS工艺的以有源电感为负载的宽带低噪声放大器,其中包括了级联型有源电感的优化设计。
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CMOS LNA 有源电感 负载
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