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基于MOS开关的高频高压脉冲源中电磁兼容问题研究

  • 摘要:本文研究了基于MOS固态开关的高频高压脉冲源中的电磁兼容问题,通过分析其干扰信号频谱分布及传播路径,制定了以屏蔽和滤波为主的电磁兼容方案,最终实现了重复频率80kHz,4kV脉冲源,实验验证了电磁兼容措施的
  • 关键字: 电磁兼容  问题  研究  脉冲  高压  MOS  开关  高频  基于  

MOS-FET与电子管OTL功放的制作

MOS—FET末级无负反馈蓄电池供电甲类6瓦功率放大器

MOS—FET甲乙类功率放大器

MOS管驱动电路综述连载(三)

  • 相对通用的电路电路图如下:图1用于NMOS的驱动电路图2用于PMOS的驱动电路这里只针对NMOS...
  • 关键字: MOS  驱动电路  

MOS管驱动电路综述连载(二)

  • 现在的MOS驱动,有几个特别的应用1、低压应用当使用5V电源,这时候如果使用传统的图腾柱结构,由于...
  • 关键字: MOS  

MOS管驱动电路综述连载(一)

  • 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很...
  • 关键字: MOS  

MOSFET分析:选择一款节能、高效的MOSFET

  • 前不久,能源之星发布了2.0版外部电源能效规范。新规范大幅提高了工作频率要求,同时进一步降低待机功耗要求。...
  • 关键字: mos  

MOSEFT分析:理解功率MOSFET的开关损耗

  • 本文详细分析计算开关损耗,并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程,从而使电子工程师知...
  • 关键字: mos/开关损耗  

开关电源设计之MOS管反峰及RCD吸收回路

  • 对于一位开关电源工程师来说,在一对或多对相互对立的条件面前做出选择,那是常有的事。而我们今天讨论的这个话题就是一对相互对立的条件。(即要限制主MOS管最大反峰,又要RCD吸收回路功耗最小) 在讨论前我们先做
  • 关键字: 吸收  回路  RCD  管反峰  设计  MOS  开关电源  

MOS-FET开关电路

  • MOS-FET虽然与JFET结构不同,但特性极为相似,N沟道和P沟道各分增强型和耗尽型,可在许多电路中代替J-FET,如图5.4-97所示,电路用MOS-FET代替J-FET更简单,如衅5.4-100所示短路开关对应图5.4-96中的A、C、D三个电路
  • 关键字: MOS-FET  开关电路    

采用C-MOS与非门的发光二极管脉冲驱动电路

  • 电路的功能如使用发光二极管直流发光,正向偏流只能在数10MA以下,允以获得大的发光输出,若采用缩小导通时的占空比,则可获得大的峰值电流。本电路发光频率为1KHZ,脉冲载频为38KHZ,受发光电路很容易分辩外来光。电
  • 关键字: 驱动  电路  脉冲  发光二极管  C-MOS  与非门  采用  

采用C-MOS转换器的石英晶体振荡电路

  • 电路的功能近来出现了把TTL器件换成C-MOS器件的趋势,而且74HC系列产品也得到了进一步的充实。用2级TTL构成的时钟振荡电路已可用C-MOS IC构成的振荡电路替代,因为TTL IC如果置偏电阻等元件参数选择不当,容易停振或
  • 关键字: C-MOS  转换器  石英晶体  振荡电路    

可设定10~100秒的长时间C-MOS定时电路

  • 电路的功能若要用555芯片组成长时间定时电路,R用高阻值,便可加长CR时间常数,但是,由于内部比较器的输入偏流较大,难以充电到门限电压,比较器无法驱动,为此,本电路采用了偏流非常小的C-MOS定时器芯片,选用高阻
  • 关键字: 电路  定时  C-MOS  时间  设定  

集成电路布图设计登记:数量持续上升 中国企业占优

  •   2008年,受到全球半导体市场衰退的影响,中国集成电路产业由前几年的较快增长转变为下滑。尽管中国以内需市场为主的集成电路设计业仍实现了一定增长,但严重依赖出口的芯片制造和封测行业下滑严重。市场的变化和利润的减少迫使企业不断创新,知识产权问题将变得更加重要。作为集成电路行业特殊的知识产权保护形式,集成电路布图设计登记应得到更多的关注。   最近,中国半导体行业协会知识产权工作部和上海硅知识产权交易中心联合推出中国集成电路布图设计登记2008年度报告,本期刊登部分节选,供业界研究参考。   本报告数据
  • 关键字: NEC  MOS  集成电路布图设计  
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