- 作为中国领先的射频及混合信号芯片供应商，锐迪科微电子(以下简称“RDA”)今日宣布累计量产20亿颗GSM功率放大器芯片，并正式推出全系列硅基CMOS工艺的GSM功率放大器RTM72xx产品。
自2007年7月份推出第一款GSM 射频功率放大器芯片(以下简称“PA”)以来，RDA凭借其产品稳定可靠的品质和卓越优良的性能，获得了客户的广泛认可。截止2017年2月份，实现累计出货20亿颗。历经近十年的市场严酷考验，RDA的GSM PA芯片已成功应用于各个
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RDA 功率放大器
- 一、电压放大器典型故障分析 现象1、工作点发生很大变化，导致晶体管截止。这样，要么产生幅度失真，要么完全没有输出。 故障：偏置元件开路或阻值变大。 现象2、工作点发生很大变化，使得晶体管难以导通，幅度失真。 故障：旁路电容或耦合电容短路。 现象3、信号无法从上一级耦合到下一级，所以直流电平均正常，没有输出信号。 故障：耦合电容开路。 现象4、由于存在交流负反馈，放大器增益下降。 故障：旁路电容开路。 现象5、输出中有100Hz频率分量(一般可以听到哼声)。 故障：滤波电容开路。
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电压放大器 功率放大器
- 甲类晶体管功率放大器，音色温暖甜美，使人倾心。但甲类功放温升较高，如采用普通的双极性晶体管，则温度稳定性较差，调试困难，使用中也让人担心。本文介绍输出级采用三肯产品SAP15N/P音响对管的甲类功放。SAP15N/P输出电流15A，...
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SAP15N P 音响对管 甲类 功率放大器
- 电路如图4-1所示。元器件的选择及安装要求与一般全互补对称功放一样。应注意的是，两只三极管应选用高频二极管，或用高频三极管的一个结代替。安装时必须把VT1、VT2与功放VT11、VT12进行热耦合，以稳定静态电流。由本电路...
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超甲类 功率放大器 电路原理
- 由于AD9851滤波输出后的正弦信号幅度值大于1V、输出电阻很大，我们在滤波器后一级制作了一个具有自举功能的甲乙类双电源互补对称功率放大电路，电路原理图见图2.5。图2.5甲...
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甲乙类 双电源 互补对称 功率放大器
- 摘要：用场效应晶体管设计出有胆味的音频功率放大器。前级采用单管、甲类，后级采用甲乙类推挽放大技术。实验证明差分放大器使用的对管的一致性与整机的失真程度密切相关。从听音效果来看，末级电流200mA是理想值。前
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甲类 场效应晶体管 对称性 末级电流
- 功率放大器为了实现功率放大器的可靠性设计，就必须考虑放大器的承受能力。通过功率放大器的安全工作区(SOA)曲线来确定功率的范围限制。放大器的承受能力取决于放大器的负载和信号的状态。图1所示的一个简化的功率运
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功率放大器
- 电路的功能有效输出100W的功率放大器多用于音响或超声波等设备。由于本电路全部由分立元件构成，所以设计时自由度比较大，因为射极输出器会因负载短路而造成大短路电流，所以要采用限流保护措施。此外，通过更换输出
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100W 限流保护电路 功率放大器 电路功能
- 摘要：为在高线性的前提下提高LTE基站系统中的功率放大器效率，基于ADS软件设计了一款工作频段2.5～2.7GHz不对称功率输入的Doherty功率放大器。采用飞思卡尔公司的MRF6S27015N LDMOS工艺晶体管，设计了一种采用offs
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Doherty 非对称Doherty Doherty原理 功率放大器
- 首先根据功放不同的放大类型可分为：Class A(A类也称甲类)、Class B(B类也称乙类)、Class AB(AB类也称甲乙类)、Class D(D类也称数字类)。这里我们主要讨论的是AB类功放器。
ab类功放原理
甲乙类功率放大器也称为AB类功率放大器(Class AB)，它是兼容A类与B类功放的优势的一种设计。当没有信号或信号非常小时，晶体管的正负通道都常开，这时功率有所损耗，但没有A类功放严重。当信号是正相时，负相通道在信号变强前还是常开的，但信号转强则负通道关闭。当信号是负相
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功放电路 功率放大器
- 摘要：本文以设计一种超高频射频读写器为目的，设计和实现了基于射频芯片Intel R1000和微控制器AT91SAM9263的读写器系统，增加了外部PA设计，从而大大提高了读写器的读写距离。
RFID技术的发展可以用“日新月
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超高频 射频识别系统 Intel R1000 固件处理器 功率放大器
- 本文主要对双声道音频功率放大器电路图进行了分析，希望对你的学习有所帮助。
图是2×30W双声道音频功率放大器，其核心器件ICl采用高保真音响功放集成电路STK465，该电路内包含两个性能指标完全相同的功率放大器，分别用 作左、右声道的功放，可保证两个声道放大器指标的一致性。
电路输入阻抗30k，输入灵敏度150mV，电压增益40dB，频率响 应：10Hz～100kHz，谐波失真≤0.08%，电源电压范围±(25～35)V。
制作时应注意，正、负电源退耦
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功率放大器
- 本文介绍了一款用于无线局域网802.11n的10W功率放大芯片。该芯片具有高功率、高增益、高效率和高集成度的特点，并且使用方便。芯片采用GaAs HBT技术，芯片面积仅为10mm×10mm。功率放大器采用了热分流式结构，饱和输出功率可达41dBm，功率附加效率达到40%，功率增益为38dB。此外芯片内部设计了50欧姆的输入输出匹配电路与片内ESD保护电路，方便用户安全使用。
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功率放大器 802.11n GaAs HBT 热分流 201604
a类(甲类)功率放大器介绍
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