- 11月15日消息，据国外媒体报道，IBM、ARM同一批半导体生产商正在进行一项关于小功率SOI芯片组的研究计划，打算将采用体硅制成的CMOS设计转换成全耗尽型FD-SOI装配。
由于受超薄氧化物层覆盖，采用该种芯片的设备将提供更好的性能以及更低的能耗。参与此次合作研究的公式有ARM、法国半导体厂商Leti、比利时鲁汶大学(the Université Catholique de Louvain) 、IBM、Globalfoundries、 法国Soitec。
SOI工业协会组
- 关键字：
ARM SOI芯片
soi芯片介绍
您好，目前还没有人创建词条soi芯片!
欢迎您创建该词条，阐述对soi芯片的理解，并与今后在此搜索soi芯片的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
