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铠侠公布蓝图:2027年实现1000层3D NAND堆叠

  • 近日,据媒体报道,日本存储芯片厂商铠侠公布了3D NAND闪存发展蓝图,目标2027年实现1000层堆叠。铠侠表示,自2014年以来,3D NAND闪存的层数经历了显著的增长,从初期的24层迅速攀升至2022年的238层,短短8年间实现了惊人的10倍增长。铠侠正是基于这种每年平均1.33倍的增长速度,预测到2027年达到1000层堆叠的目标是完全可行的。而这一规划较此前公布的时间早了近3年,据日本媒体今年4月报道,铠侠CTO宫岛英史在71届日本应用物理学会春季学术演讲会上表示,公司计划于2030至2031
  • 关键字: 铠侠  3D NAND堆叠  
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