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谷歌Tensor G5芯片或已进入流片阶段，基于台积电3nm制程

• 据台媒报道，最新消息称预计用于谷歌明年旗舰智能手机的Tensor G5芯片将基于台积电3nm制程，目前已成功进入流片阶段。据了解，谷歌Tensor G5芯片代号为Laguna Beach“拉古纳海滩”，该芯片采用台积电InFo_PoP晶圆级扇出封装技术，实现SoC和DRAM的堆叠，支持16GB以上内存。这种封装技术能有效提升芯片的性能，并减小其物理尺寸，为谷歌Pixel设备带来更强大的性能和更紧凑的设计。此前推出的前四代Tensor芯片均基于三星Exynos的修改版本，并由三星代工生产。而Tensor G
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