- 2 月 18 日消息，据 TheElec 报道，三星芯片部门的负责人上周亲自前往美国英伟达总部进行访问。此次访问的目的是向英伟达展示三星最新研发的 1b DRAM 芯片样品，该芯片主要用于高带宽内存（HBM）。消息人士透露，英伟达曾在去年要求三星改进其 1b DRAM 的设计，此次展示的样品正是基于英伟达的要求而改进后的成果。通常情况下，三星设备解决方案（DS）部门的负责人亲自向客户展示样品的情况较为罕见。IT之家注意到，三星在去年曾计划使用
1b DRAM 生产 HBM，但遭遇了良品率和过热问题。该
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- 美国柏恩Bourns全球知名电子组件领导制造供货商，推出其新型TBU-DF和TBU-DB-Q高速保护器(HSP)装置系列。此系列半导体保护器保护速度极快(反应时间小于1微秒)且精准提供了简单易用的数据线保护解决方案。其具有整合周边电路能力，可减少设计人员必须考虑的变量。 TBU-DF系列旨在满足RS-485接口的保护需求。RS-485用于新物联网、工厂和家庭自动化应用以及过程控制、测试和测量设备中的数据收集和远程监测。符合AEC-Q101标准的TBU-DB-Q系列产品则可满足像是电池管理系统(BMS
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Bourns TBU-DF
- 功率开关器件产生的du/dt是开关电源中的主要干扰源之一，IGBT与功率MOSFET在开通和关断时产生的
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