- 图1为CMOS模拟开关电路原理图。它克服了NMOS模拟开关电路Ron虽vI增大而增大的缺点，扩大输入信号幅度的范围；而且可以在CMOS电路基础上增设辅助电路，消除NMOSFET的衬底效应对Ron的影响。
图1 CMOS开关电路原理
假定控制信号vc高电平VCH=VDD为逻辑“1”，低电平VCL=-Vss（取Vss=VDD）为逻辑“0”。T1衬底电压VB1=-Vss，T2衬底电压VB2=VDD。从图可知，vc直接输送到T1的栅极，而T2的栅极电压是vc经非门（T3、T4组成）倒相后的电压。当
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CMOS开关电路 模拟IC
cmos开关电路介绍
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