- 本文主要讲述HIT太阳能光伏电池的制造工艺、工艺改进以及HIT太阳能光伏电池的市场展望：一、HIT太阳能光伏电池的制作工艺HIT太阳能光伏电池的关键技术是a-Si:H薄膜的沉积，要求沉积的本征a-Si:H薄膜的缺陷态密度低，
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调研 技术 电池 HIT 高效
- 随着我国加入WTO 并逐步与国际市场接轨，高性能电池的使用量正大幅度增加，作为扣式电池一种的锂锰电池正是其中之一。本文旨在依据公理化设计理论进行生产系统的方案设计，利用先进的设计理念解决自动组装生产线系统
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电池 理论 解耦 耦合 设计 方案设计 自动 组装 生产线
- HIT太阳能光伏电池的伏安曲线分析HIT太阳能光伏电池里p/n异质结中所发现的正向电流特性(0.4V附近)的变化是由于a-Si顶层膜中存在的高密度间隙态，引起异质结部耗尽层的再复合而造成的。对此，在顶层和结晶Si之间插入高
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- 采用等离子体增强气相沉积法制备了双层氮化硅作为多晶硅太阳电池的减反膜，理论模拟了双层氮化硅的光学参数，实际测试情况和理论模拟吻合良好。电池IV参数表明双层氮化硅不但具有更佳的减反射效果而且表面钝化效果也
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电池 影响 太阳能电池 太阳能 多晶硅 双层
- 为了进一步降低多晶硅太阳电池的成本，研究了硅片厚度对多晶硅太阳电池的短路电流密度、开路电压和效率的影响。可以看出，在保证多晶硅太阳电池性能不变或者提高的前提下，硅片厚度可以减小到200um，如果继续减小厚度
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- 详细研究性能最好的有机光电材料，发现了不寻常的双层薄片结构，这有助于解释这种材料的优越性能，把阳光转换为电能，也可引导合成新材料，带来更好的性能。这项研究2012年4月24日发表在《自然middot;通讯》上，进行
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- HIT是HeterojunctionwithIntrinsicThin-layer的缩写,意为本征薄膜异（膜厚5～10nm）质结.HIT太阳能电池是以光照射侧的p/i型a-Si膜和背面侧的i/n型a-Si膜（膜厚5～10nm）夹住单结晶Si片的来构成的.图一.HIT太阳能光伏
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- 本文对太阳能电池的暗电流产生原因进行了系统的研究。暗电流不仅仅包括反向饱和电流。还包括薄层漏电流和体漏电流。在太阳能电池实际生产中，暗电流高于５Ａ的电池比例偏高，其产生的原因多种多样。我们经过长期大量
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研究 电流 电池 太阳能
- 镍氢电池镍氢电池是有氢离子和金属镍合成，电量储备比镍镉电池多30%，比镍镉电池更轻，使用寿命也更长，并且对环境无污染，无记忆效应。镍氢电池的缺点是价格镍镉电池要贵好多，性能比锂电池要差。锂离子电池以锂离子
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之间 区别 锂电池 电池 镍镉 镍氢
- 常规晶体硅太阳电池使用寿命一般承诺20或25年（一般组件出厂有质保书，保证什么时候衰减到多少），晶体硅太阳电池片由于晶体生长过程中引入杂质，对电池片的初期光照会导致其中的掺杂剂和氧、铁等杂质形成复合中心，
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衰减 趋势 寿命 使用 太阳 电池 晶体
- :EL检测仪，又称太阳能组件电致发光缺陷检测仪，是跟据硅材料的电致发光原理对组件进行缺陷检测及生产工艺监控的专用测试设备。给晶体硅电池组件正向通入1-1.5倍Isc的电流后硅片会发出1000-1100nm的红外光，测试仪下
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缺陷 分析 EL 组件 电池 晶体
- 近日，太阳能光伏电池行业传来不少新型电池成功研发的喜讯，既有工艺技术上的变革、也有制造材料上的创新。真可谓是百花齐放、百舸争流。下面给大家总结一些2011年最新的太阳能光伏电池研发成果，让感兴趣的朋友们能
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一览 新技术 电池 太阳能
- 1 功能及性能（1）全自动智能化控制及保护，并带自恢复的保护功能；全电子开关保护，不需要外接保险管等保护器件。（2）针对工程安装时的人为误操作，具有如下防止误操作的功能：对安装接线顺序不做要求，支持太阳能
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控制器 设计 路灯 太阳能 电池 聚合物
- 1概述 DS2770电池监测器和充电控制器能完成电池维护所需的各种功能，和主系统处理器使用时，DS2770能完成充电、剩余电量估算、安全监测、永久数据存储等功能。它有独特的ID、数字温度检测器、测量电池电压电流的
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应用 介绍 控制器 充电 电池 监测 DS2770
- CR2032纽扣电池广泛用于小型MCU如远程环境传感器中，这是一种锂/二氧化锰3V原电池。典型的供应商 - 例如，柯达（参考1） -评定230 mAh到2V的终点电压能力为 5.6 k#61527; (约有0.5 mA). 如果是那样的话，电池寿命将
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