- 基于CPLD的节省电池能量的系统断电电路,今天，大多数的CPLD（复杂可编程逻辑器件）都采用可减少功耗的工作模式，但当系统未使用时，应完全切断电源以保存电池能量，从而实现很多设计者的终极节能目标。图1描述了如何在一片CPLD 上增加几只分立元件，实现一
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- 尽管可充电电池有很多优点，但过度放电会遭到损坏，以及缩短使用寿命。图1中的电路可以在电池电压低于某个预设极限时关闭电池供电的电器，例如，用 NiMH（镍氢）电池供电的LED闪光灯。虽然本电路的目标是LED闪光灯
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- 单晶硅由于其本身内部完整的晶体结构，其光伏电池效率明显高于多晶硅电池。然而，单晶硅内部杂质和晶体缺陷的存在会严重影响太阳能光伏电池的效率，比如：(a)光照条件下B-O复合体的产生会导致单晶电池的早期光致衰减
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- 本文主要讲述HIT太阳能光伏电池的制造工艺、工艺改进以及HIT太阳能光伏电池的市场展望：一、HIT太阳能光伏电池的制作工艺HIT太阳能光伏电池的关键技术是a-Si:H薄膜的沉积，要求沉积的本征a-Si:H薄膜的缺陷态密度低，
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- 随着我国加入WTO 并逐步与国际市场接轨，高性能电池的使用量正大幅度增加，作为扣式电池一种的锂锰电池正是其中之一。本文旨在依据公理化设计理论进行生产系统的方案设计，利用先进的设计理念解决自动组装生产线系统
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- HIT太阳能光伏电池的伏安曲线分析HIT太阳能光伏电池里p/n异质结中所发现的正向电流特性(0.4V附近)的变化是由于a-Si顶层膜中存在的高密度间隙态，引起异质结部耗尽层的再复合而造成的。对此，在顶层和结晶Si之间插入高
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- 采用等离子体增强气相沉积法制备了双层氮化硅作为多晶硅太阳电池的减反膜，理论模拟了双层氮化硅的光学参数，实际测试情况和理论模拟吻合良好。电池IV参数表明双层氮化硅不但具有更佳的减反射效果而且表面钝化效果也
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- 为了进一步降低多晶硅太阳电池的成本，研究了硅片厚度对多晶硅太阳电池的短路电流密度、开路电压和效率的影响。可以看出，在保证多晶硅太阳电池性能不变或者提高的前提下，硅片厚度可以减小到200um，如果继续减小厚度
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- 详细研究性能最好的有机光电材料，发现了不寻常的双层薄片结构，这有助于解释这种材料的优越性能，把阳光转换为电能，也可引导合成新材料，带来更好的性能。这项研究2012年4月24日发表在《自然middot;通讯》上，进行
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- HIT是HeterojunctionwithIntrinsicThin-layer的缩写,意为本征薄膜异（膜厚5～10nm）质结.HIT太阳能电池是以光照射侧的p/i型a-Si膜和背面侧的i/n型a-Si膜（膜厚5～10nm）夹住单结晶Si片的来构成的.图一.HIT太阳能光伏
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- 本文对太阳能电池的暗电流产生原因进行了系统的研究。暗电流不仅仅包括反向饱和电流。还包括薄层漏电流和体漏电流。在太阳能电池实际生产中，暗电流高于５Ａ的电池比例偏高，其产生的原因多种多样。我们经过长期大量
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- 镍氢电池镍氢电池是有氢离子和金属镍合成，电量储备比镍镉电池多30%，比镍镉电池更轻，使用寿命也更长，并且对环境无污染，无记忆效应。镍氢电池的缺点是价格镍镉电池要贵好多，性能比锂电池要差。锂离子电池以锂离子
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- 常规晶体硅太阳电池使用寿命一般承诺20或25年（一般组件出厂有质保书，保证什么时候衰减到多少），晶体硅太阳电池片由于晶体生长过程中引入杂质，对电池片的初期光照会导致其中的掺杂剂和氧、铁等杂质形成复合中心，
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- :EL检测仪，又称太阳能组件电致发光缺陷检测仪，是跟据硅材料的电致发光原理对组件进行缺陷检测及生产工艺监控的专用测试设备。给晶体硅电池组件正向通入1-1.5倍Isc的电流后硅片会发出1000-1100nm的红外光，测试仪下
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