- 据报道,近日,美国麻省理工学院团队利用超薄半导体材料,成功研制出一种全新的纳米级3D晶体管。这是迄今已知最小的3D晶体管,其性能和功能可比肩甚至超越现有硅基晶体管,将为高性能节能电子产品的研制开辟新途径。相关论文发表于《自然·电子学》杂志。据悉,团队利用由锑化镓和砷化铟组成的超薄半导体材料,研制出的这款新型3D晶体管,不仅性能与目前最先进的硅晶体管相当,还能在远低于传统晶体管的电压下高效运行。此外,团队还将量子隧穿原理引入新型晶体管架构内。在量子隧穿现象中,电子可以穿过而非翻越能量势垒,这使得晶体管更容易
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3D纳米晶体管 超薄半导体材料
3d纳米晶体管介绍
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