MAX417 仅吸收6μA电流的负载开关
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负载开关
日前,德州仪器 (TI) 宣布推出一款全面集成型负载开关,其在 3.6 V 电压下所提供的 5.7 mW 标准导通电阻 (rON) 比同类竞争产品低 4 倍。TI TPS22924C 将至少 4 个部件集成于一体,从而简化子系统负载管理。采用超小型 1.4 毫米 x 0.9 毫米芯片级封装 (CSP) 的高度集成性可充分满足空间有限的电池供电应用需求,如便携式工业与医疗设备、媒体播放器、销售点终端、全球定位系统 (GPS)、笔记本电脑、上网本以及智能电话等。
TPS22924C 的主要特性与
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TI 负载开关 TPS22924C
专注于消费类、工业类和电信市场的模拟器件半导体公司Advanced Analogic Technologies, Inc. (Nasdaq: AATI) 于日前推出了 AAT4702。该负载开关高度集成,与同类的分立产品相比引脚数目减少了一半。 除较小的尺寸外, AAT4702消耗的静态电流为 15 micro A ,远远低于市场上其它任何集成负载开关/低压差(LDO) 稳压器。
AAT4702采用 紧凑的 8-pin、2x2-mm FTDFN封装,是一种P-channel 的金属氧化物半导体场
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AATI 负载开关 AAT4702 稳压器
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 为机顶盒、笔记本电脑、上网本和移动便携设备 (UMPC) 提供全新的FPF23xx系列先进负载开关。该系列采用双开关配置,提供业界最严格容差(15%)的限流 保护,能够简化设计并加快产品上市速度。低容差可令设计人员减少功率母线上的最高运作电流值 (限流上限),从而简化组件筛选和应用评测,并且不会干扰设计的正常运作性能。
限流保护设计挑战常见于设备多 USB 端口的电源应用,设计人员必须保护其系统USB接口避免承受过多的负载电
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Fairchild 负载开关 IntelliMAX FPF23xx
日前,德州仪器 (TI) 宣布推出全新集成负载开关产品系列,该系列具有控制启动与快速输出放电功能,从而可简化子系统负载管理。TPS229xx 系列产品不仅采用超小型 0.8 毫米 x 0.8 毫米晶圆级芯片封装技术 (WCSP) 封装,比传统的分立式解决方案小十倍,而且还支持便携式媒体播放器、手机以及便携式导航系统等空间受限型应用。
TPS229xx系列具有业界最低的导通电阻,与同类竞争解决方案相比,可最大限度地降低通过开关的压降。同时,该全新 TI 器件还支持从 0.9 V 至 3.6 V
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TI 负载开关 TPS229xx WCSP
负载开关基本电路
功率MOSFET是一种具有良好开关特性的器件:导通时其导通电阻RDS(ON)很小;在关断时其漏电流IDSS很小。另外,它的耐压范围很宽,从几十V到几百V,漏极电源范围宽,从几A到几十A,所以非常适合作负载开关。
N沟道MOSFET可以组成最简单的负载开关,如图1所示。负载接在电源与漏极之间(负载可以是直流电动机、散热风扇、大功率LED、白炽灯泡或螺管线圈等)。在其栅极上加一个逻辑高电平,则N-MOSFET导通,负载得电;在其栅极加一个逻辑低电平,则N-MOSFET关断,负载失
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负载开关
消费者总是追求更小巧、更轻薄及功能更丰富的便携式电子设备,这是一个不争的事实。这迫使消费产品公司不得不想办法以满足用户几乎无止境的欲望:“更小巧”、“更便宜” 、“效率更高” 、“更简单” 、“更易于使用”。然而答案并不新鲜,就是集成化。集成化是这场游戏的名称,它充斥在便携式电子设计的每个角落。从简单的 MOSFET 开关,到当前先进的负载开关,在最新的功率管理 IC中,这种集成化趋势司
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负载开关,移动产品,电源管理,半导体技术
研诺逻辑科技有限公司(AnalogicTech) ,日前宣布推出一款新型双速率、转换速率可控负载开关AAT4282A,它实现了在单一的2 x 2 mm封装内集成两个低电阻、转换速率可控负载开关,从而使设计师实现了减少元器件数量、并降低了成本。作为研诺快速成长的特殊应用功率MOSFET(ASPM)产品系列中的一部分,AAT4282A带有两个金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),每一个典型的RDS(ON)在电压为5V时仅为60 mΩ,通过提供比市场上竞争性单体产品更低的正向电压降,支持
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模拟技术 电源技术 研诺 负载开关 AAT4282A 模拟IC 电源
为便携式设计提供业界领先的封装技术和热性能 全新 FPF100x 系列负载开关将回转率控制、ESD 保护及负载放电功能 集成在单一器件中 飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新IntelliMAXTM 负载开关系列FPF100x,具有业界领先的封装技术 (WL-CSP 或 MLP)、高度集成 (集成了回转率控制、ESD保护及负载放电功能) 
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IntelliMAXTM 电源技术 飞兆半导体 负载开关 模拟技术
负载开关介绍
负载开关是一款内置P沟道MOSFET,自带ON/OFF功能和输出电流保护功能的低消耗电流负载开关。它能够控制供电电路的时序,并带有CL放电电路,因此在使用多个电源的应用中,能最大限度地有效合理地分配电源,大大提高了电池的使用时间,延长使用寿命。 导通电阻 0.75Ω@VIN=2.9V(TYP.) 1.15Ω@VIN=1.8V (TYP.) 输出电流 200mA(300mA限流TYP.) [
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