- 据国外媒体报道，惠普科学家在开发名为“memristors”(记忆电阻器)的下一代内存技术方面取得了小的突破。一些人认为，这种技术有可能取代目前广泛应用的闪存和DRAM内存技术。惠普科学家本周一在《纳米技术》杂志上发表的论文中称，他们已经描绘出记忆电阻器在电子运行期间内部发生的情况的基本化学性质和结构。
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惠普 记忆电阻器
- 由科技日报社组织，部分院士、多家中央新闻单位及本报读者参与评选的“2008年国际十大科技新闻”今天揭晓。
2008年国际十大科技新闻是（按事件公布时间排序）：
一、器官移植研究取得重要成果
美国明尼苏达大学心血管修复中心科学家1月13日在《自然—医学》杂志在线版发表论文称，他们通过给“脱细胞化”处理后的动物尸体心脏注入活细胞，成功地使这些心脏恢复了跳动。这是器官移植研究领域的重大突破，也是人类首次在生物体外用组织培养出完整器
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- 美国惠普公司实验室研究人员在5月1日出版的英国《自然》杂志上发表论文宣称，他们已经证实了电路世界中的第四种基本元件———记忆电阻器，简称忆阻器（Memristor）的存在，并成功设计出一个能工作的忆阻器实物模型。这项发现将有可能用来制造非易失性存储设备、即开型PC、更高能效的计算机和类似人类大脑方式处理与联系信息的模拟式计算机等铺平了道路，未来甚至可能会通过大大提高晶体管所能达到的功能密度，对电子科学的发展历程产生重大影响。
华裔科学家37年前理论预测成
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记忆电阻器介绍
memristors，惠普科学家开发的下一代内存技术，这种技术有可能取代目前广泛应用的闪存和DRAM内存技术。
记忆电阻器是加州大学伯克利分校的一位教授在1971年首次阐明的。在此之前，科学家仅知道三个基本电路元件：电阻器、电容器和电感器。蔡少棠(Leon Chua)教授把记忆电阻器称作第四个元件。
几十年后，惠普科学家证明记忆电阻器是存在的，并且证明他们能够让记忆电阻器在两个或者更多的电阻级 [
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