- 据悉，台湾代工厂联电(UMC)计划于2011年年中开始，使用28nm新工艺试产3D立体堆叠式芯片，并于2012年批量投产。
联电CEO孙世伟(Shih-Wei Sun)表示，这种3D堆叠芯片使用了硅通孔(TSV)技术，是联电与日本尔必达、台湾力成科技(PTI)共同研发完成的。这次三方合作汇聚了联电的制造技术、尔必达的内存技术和力成的封装技术，并在3D IC方案中整合了逻辑电路和DRAM。
孙世伟指出，客户需要3D-IC TSV方案用于下一代CMOS图像传感器、MEMS芯片、功率放大器和其他
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联电 28nm 立体堆叠式芯片
立体堆叠式芯片介绍
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