- 碳化硅（SiC）技术已超越传统的硅（Si）绝缘栅双极晶体管（IGBT）应用，因为它具有大功率系统的主要热和电气优势。这些优势包括更高的开关频率、更高的功率密度、更好的工作温度、更高的电流/电压能力以及整体更好的可靠性和效率。SiC器件正在迅速取代基于硅的组件和模块，作为系统升级和系统设计的新选择。碳化硅（SiC）技术已超越传统的硅（Si）绝缘栅双极晶体管（IGBT）应用，因为它具有大功率系统的主要热和电气优势。这些优势包括更高的开关频率、更高的功率密度、更好的工作温度、更高的电流/电压能力以及整体更好的可
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碳化硅信号
碳化硅信号介绍
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