现在，借助 TI 的全新在线选择工具，您可以轻松快速地选择最佳非隔离式 POL模块与电容器。T2 系列宽输入、非隔离式 POL 电源模块采用 TI 申请专利的全新 TurboTrans 技术，能够在瞬态负载条件下将输出电容缩小到原来的1/8。
这款新工具使得用户能够输入具体的设计参数（如 VIN、VOUT、IOUT、TA）及所需的电容器类型。然后，该工具会返回更改 T2 部件号、所需的输出电容容量与类型，以及 TurboTrans 电阻器值
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德州仪器 (TI) 宣布推出一款采用 e-Trim™ 技术的超低噪声、高精度单电源运算放大器 OPA376。该放大器在微小型封装中实现了最大 25uA 的低偏移电压与 5.5MHz 高带宽的完美组合。此外，该器件还提供 7.5nV/sqrt Hz 的低噪声密度与最大 950uA 的低静态电流。上述特性提供了满足 AC 与 DC
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近年来, 电力网中非线性负载的逐渐增加是全世界共同的趋势，如变频驱动或晶闸管整流直流驱动设备、计算机、重要负载所用的不间断电源(UPS) 、节能荧光灯系统等，这些非线性负载将导致电网污染，电力品质下降，引起供用电设备故障, 甚至引发严重火灾事故等。
电力污染及电力品质恶化主要表现在以下方面：电压波动、浪涌冲击、谐波、三相不平衡等。
1.电源污染的危害
电源污染会对用电设备造成严重危害，主要有：
干扰通讯设备、计算机系统等电子设备的正常工
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引言
高压钠灯（HPSL）[1]是高强度放电灯（HIDL——HighIntensityDischargeLamp）中的一种，因其具有极好的光效（80～140lm/W）和合适的光波长，而被广泛用于户外照明，如广场、道路、码头等。但是，传统的电感式的镇流器存在功率因数低和自身损耗大的缺点。大量低功率因数电器的使用，对电网造成谐波污染，不但增加了供发电设备的负荷，使供发电设施得不到充分利用，而且严重影响其它用电设备的正常运行。
绿色照明事业在世界范围的蓬勃发展
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Allegro 推出用于驱动器低电压双极无刷直流电动机的全新全桥式电动机驱动器。电动机整流可通过使用单个霍尔元件传感器侦测极性交互环形磁铁的旋转位置来实现。高密度 CMOS 半导体工艺可确保整合所有必需的电子元件。有关电子元件包括霍尔元件传感器、电动机控制电路及全桥式输出。已采用低电压设计技术实现低至 1.8 V VDD 的器件功能。该完全集成的单芯片解决方案可增强可靠性（包括电池反接保护及输出短路保护），且无需任何外部支持元件。&nb
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奥地利微电子公司推出单/双路LVDS驱动器，进一步扩展了低压差分信号（LVDS）集成电路（IC）系列。 AS1154/56理想用于数字复印机、激光打印机、手机基站、电信交换机和网络交换机/路由器等需要高速数据传输的设备。这两款器件的电源电流是同类产品的一半，从而降低了LVDS接口的功耗。 新产品的推出再次彰显了奥地利微电子公司在削减功耗方面的水平。在数据速率高达800Mbps的条件下，A
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美国国家半导体公司(NS)宣布推出业界最高准确度的可编程增益放大器，其特点是可以大幅提高传感器接口应用及数据采集系统的信号调节性能，适用于工业设备及测量仪表等产品。 美国国家半导体这款型号为LMP8100A的可编程增益放大器利用软件调节增益，增益则由1V/V至16V/V，共分为16个步级，以1V/V作为一步级增减，而且在摄氏-40度至 125度的工业温度范围内操作，增益准确度保证可达0.03%。此外，美国国家半导体也推出型号为LMP8100的半高精度级别可编
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飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出业界唯一保证工作电压范围在3.6V至1.1V的单比特位双向电压转换器FXLH1T45，可简化超便携式、计算、通信和工业应用的设计。这款单比特位双向电压转换器可在多个电压级之间提供单向和双向电压转换，从而实现在不同电压级工作的处理器与电子子系统之间的无缝连接。FXLH1T45可工作于低至1.1V的电压，非常适合超便携式应用的低功耗要求。 FXLH1T45采用飞兆半导体的超紧凑 (1.0
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当今，面向电信及数据通信市场的先进电子系统大量依赖于高性能、精细线度数字IC（FPGA、DSP和/或ASIC）快速有效地处理对时间敏感的数字数据。对更高带宽的需求已迫使这些数字IC的制造商追求领先的工艺技术，以便在将功耗降至最低时优化性能。但是，这一趋势也产生了前几代工艺中所没有的多种电源管理问题。降低内核电压电平提高负载电流，采用亚100纳米工艺技术实现的更小芯片尺寸使这些IC中的电流密度急剧增加。此外，分离的电压层与多核架构的使用还迫使系统设计人员提供更多的独特电压层，以及在这些电压之间提供特定的排序
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1 引言
TPS54350是德州仪器(TI)新推出的一款内置MOSFET的高效DC／DC变换器．采用小型16引脚HISSOP封装．连续输出电流为3A时，输入电压范围为4．5V~20V。该变换器极大地简化了负载电源管理的设计，使得设计人员可直接通过中压总线(而不依赖额外的低电压总线)为数字信号处理器(DSP)、现场可编程门阵列(FPGA)及微处理器供电。TPS554350SWIFT(采用集成FET技术的开关)DC／DC变换器的效率高达90％以上，非常适用于低功耗工业与商用电源、带液晶显示屏(LCD)
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开关电源变压器是高频开关电源的核心元件。其作用为：磁能转换、电压变换和绝缘隔离。开关变压器性能的好坏不仅影响变压器本身的发热和效率，而且还会影响到高频开关电源的技术性能和可靠性。高频开关变压器的设计主要包括两部分：绕组设计及磁芯设计。本文将对应用在高频下的单端正激变压器的设计方法及磁芯的选择给出较为详细的论述。
1 单端正激变压器原理
单端正激变压器的原理图如图1所示。
单端正激变压器又称"buck"转换器。因其在原边
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反馈的基本概念
1 ．概述
反馈定义为：将放大电路输出信号（电压或电流）的部分或全部通过一定的电路（反馈电路）回送到输入回路的反送过程。一个反馈放大器的框图如图 6.1 所示。
反馈放大电路的框图
2 ．反馈放大器分类
(1) 根据输出端取样对象分类 可分为电压反馈和电流反馈两类。电压反馈的反馈信号取自输出电压，反馈量与输出电压成正比。如图 6.2 （ a ）和（ b ）。电流反馈的反馈信号取自输出电流，反馈量与输出电流成正比。如图 8.2 （ c ）和（ d ）。
(2) 根据与
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ＰＮ结的形成
（1）当Ｐ型半导体和Ｎ型半导体结合在一起时，由于交界面处存在 载流子浓度的差异 ，这样电子和空穴都要 从浓度高的地方向浓度低的地方扩散 。但是，电子和空穴都是带电的，它们扩散的结果就使Ｐ区和Ｎ区中原来的电中性条件破坏了。Ｐ区一侧因失去空穴而留下不能移动的负离子，Ｎ区一侧因失去电子而留下不能移动的正离子。这些不能移动的带电粒子通常称为 空间电荷 ，它们集中在Ｐ区和Ｎ区交界面附近，形成了一个很薄的空间电荷区，这就是我们所说的 ＰＮ结 。
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1 三极管的结构和分类
三极管在模拟电子电路中其主要作用是构成放大电路。
结构： 三个区、 二个结、 三个电极。
分类：三极管如按结构可分为 NPN 型和 PNP 型；按所用的半导体材料可分为硅管和锗管；按功率可分为大、中、小功率管；按频率特性可分为低频管和高频管等。
2 电流分配和放大作用
三极管放大条件：发射结正偏，集电结反偏。
1. 发射区发射电子形成 I E ＝ I B ＋ I C
2. 基区复合电子形成 I B
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绝缘栅场效应管的结构和符号
三极管称电流控制元件；场效应管称电压控制元件。 场效应管具有输入电阻高（最高可达 10 15 Ω）、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、耗电省等优点。
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模拟ic介绍
模拟IC就是处理模拟信号的进程电路，比如，运算放大器，稳压器等，其内部的主要晶体管大部分工作在放大状态。其输入输出可以用外围电路精确设定。
电子电路中的信号分为两种，一种是数字（逻辑）信号，只有高低电平之分（1/0），另一种是模拟信号，是一种从低到高连续变化的电压信号。前者如现在的手机和基站之间发送接收的信号、从CD/DVD光盘里读出的信号等等；后者如半导体收音机调幅或调频信号经解调后的音 [
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