在模拟电子技术教学内容方面，实际模拟电子线路从电子管电路、晶体管电路、集成电路已经发生了巨大变化。从晶体管问世到现在也就60年，但大规模及超过大规模集成电路已经几乎取代了分立的晶体管电路。模数混合的片上系统电路也管理使用，因此模拟电子技术的教学内容一直是一个热门话题。周老师刚才讲的东西，实际我们学校也同样存在。
模电比较难教，也比较难学。我们学校，模电一直被学生称为“魔电”。模拟电路的分析设计，一直是学生所厌恶的。学生重数字电路，轻模拟电路，喜欢软件害怕硬件的现象普遍存在。因此，
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模拟电子 教学
反馈的基本概念
1 ．概述
反馈定义为：将放大电路输出信号（电压或电流）的部分或全部通过一定的电路（反馈电路）回送到输入回路的反送过程。一个反馈放大器的框图如图 6.1 所示。
反馈放大电路的框图
2 ．反馈放大器分类
(1) 根据输出端取样对象分类 可分为电压反馈和电流反馈两类。电压反馈的反馈信号取自输出电压，反馈量与输出电压成正比。如图 6.2 （ a ）和（ b ）。电流反馈的反馈信号取自输出电流，反馈量与输出电流成正比。如图 8.2 （ c ）和（ d ）。
(2) 根据与
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反馈 模拟电子 电子技术 模拟IC
半导体基础技术小结
1. 半导体有光敏、热敏和掺杂特性。
２.PN 结具有单向导电性， P ＋ N － 导通， P － N ＋ 截止。
3. 二极管的内部就是一个 PN 结，正向偏置导通，反向偏置截止。
4. 三极管内部有二个 PN 结，三极管放大的实质是以很小的基极电流控制较大的集电极电流。发射结正偏，集电结反偏，三极管工作在放大状态，在放大状态时 I C ＝ β I B I E ＝ I B ＋ I C ＝（ 1 ＋ β ） I B
5. 场效应管是以很小的栅源电压控制较大的漏极电流。
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半导体 模拟电子 电子技术
ＰＮ结的形成
（1）当Ｐ型半导体和Ｎ型半导体结合在一起时，由于交界面处存在 载流子浓度的差异 ，这样电子和空穴都要 从浓度高的地方向浓度低的地方扩散 。但是，电子和空穴都是带电的，它们扩散的结果就使Ｐ区和Ｎ区中原来的电中性条件破坏了。Ｐ区一侧因失去空穴而留下不能移动的负离子，Ｎ区一侧因失去电子而留下不能移动的正离子。这些不能移动的带电粒子通常称为 空间电荷 ，它们集中在Ｐ区和Ｎ区交界面附近，形成了一个很薄的空间电荷区，这就是我们所说的 ＰＮ结 。
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PN 结 模拟电子 电子技术 模拟IC
1 三极管的结构和分类
三极管在模拟电子电路中其主要作用是构成放大电路。
结构： 三个区、 二个结、 三个电极。
分类：三极管如按结构可分为 NPN 型和 PNP 型；按所用的半导体材料可分为硅管和锗管；按功率可分为大、中、小功率管；按频率特性可分为低频管和高频管等。
2 电流分配和放大作用
三极管放大条件：发射结正偏，集电结反偏。
1. 发射区发射电子形成 I E ＝ I B ＋ I C
2. 基区复合电子形成 I B
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半导体 三极管 模拟电子 模拟IC
绝缘栅场效应管的结构和符号
三极管称电流控制元件；场效应管称电压控制元件。 场效应管具有输入电阻高（最高可达 10 15 Ω）、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、耗电省等优点。
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场效应管 模拟电子 电子技术 模拟IC
半导体基础知识
一、物体按导电能力分类
导体： 导电能力强，如金属。
绝缘体： 导电能力很差，如橡胶、陶瓷。
半导体： 导电能力介于导体与绝缘体之间。
二、半导体的原子结构
现代半导体材料主要使用硅和锗（S i：14；G e：32），其外层 均有四个价电子，而原子核和除价电子外的内层电子组成惯性核。 其简化模型为：
三、半导体晶体结构
共价键制造半导体器件的硅和锗是单晶材料，具有金刚石结构，每个原 子和相邻四个原子结合，每个原子的外层四个价电子分别与相邻的四个 原子的价电
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1. 电路的组成
2. 各元件作用
(1) 三极管 V ：实现电流放大。
(2) 集电极直流电源 U CC : 确保 三极管工作在放大状态。
(3) 集电极负载电阻 R C : 将三极管集电极电流的变化转变为电压变化，以实现电压放大。
(4) 基极偏置电阻 R B : 为放大电路提供静态工作点。
(5) 耦合电容 C1 和 C2 : 隔直流通交流。
3. 工作原理
(1) ui 直接加在三
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共发射极 放大电路 模拟电子 模拟IC
模拟电子介绍
信号在时间和数值上都是连续变化的信号称为模拟信号.模拟信号是指用连续变化的物理量表示的信息，其信号的幅度，或频率，或相位随时间作连续变化，如目前广播的声音信号，或图像信号等。模拟电子主要内容包含有:常用半导体器,基本放大电路,多级放大电路,集成运算放大电路,放大电路的频率响应,放大电路中的反馈,信号的运算和处理,波形的发生和信号的转换,功率放大电路,直流电源,模拟电子电路读图这些内容.如果需要详细 [
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